| AX20NV4G821TAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存，组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现（2112 字节× 64 页）。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | | | 获取价格 |
| AX20NV4G821BAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存，组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现（2112 字节× 64 页）。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | | | 获取价格 |
| AX20NV2G811TAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存，组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现（2112 字节× 64 页）。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | | | 获取价格 |
| AX20NV2G811BAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存，组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现（2112 字节× 64 页）。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | | | 获取价格 |
| AX20NV1G811BAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Axia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存，组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现（2112 字节× 64 页）。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 | | | 获取价格 |
| AX20NV1G811TAI101 | Axia Memory Technology Co.,Ltd | Pin2Pin替代 Micron 的 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | | | 获取价格 |
