| HBR2100-SMA | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| 3DD13003A-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 15F120C-220C2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):3.2V@15A;反向电流(Ir):5uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 10F40HF3-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.7V@5A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):36ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR3045AHF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| JCS4N65VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):122W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS2N60MFB-126F | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| 3DD4243DM-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4243DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4242DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4612DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR30100A-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| 30F120W-2472L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):3V@30A;反向电流(Ir):100uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 10F60UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.8V@10A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):21ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR20100-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | | | 获取价格 |
| 20F40UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):1.7V@20A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):34ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4613H | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| HBR3045-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):640mV@15A;反向电流(Ir):50uA@45V; | | | 获取价格 |
| 3DD13005MD-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):75W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@4A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD209L-3PB | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):120W; | | | 获取价格 |
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