| 10F60UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.8V@10A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):21ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR20100-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | | | 获取价格 |
| 20F40UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):1.7V@20A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):34ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4613H | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| HBR3045-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):640mV@15A;反向电流(Ir):50uA@45V; | | | 获取价格 |
| 3DD13005MD-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):75W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@4A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD209L-3PB | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):120W; | | | 获取价格 |
| JCS640RH-O-R-N-A | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS3205CH-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS4N80RC | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| JCS4N65RC-DPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS4N65RC-DPAK | | | 获取价格 |
| JCS7N65FB-220MF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS7N65FB-220MF | | | 获取价格 |
| HBR10150U-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):830mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | | | 获取价格 |
| HBR30100-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| 3DD13009K-O-C-N-B | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.8V@8A,1.6A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@5A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 15F60HF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):1.4V@15A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):68.8ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD13005ED-126S | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):40W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR20200S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):860mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | | | 获取价格 |
| 3DD13007MD-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W; | | | 获取价格 |
| HBR2045S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):620mV@10A;反向电流(Ir):20uA@45V; | | | 获取价格 |
