型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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CS630A8H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):280mΩ@10V,5.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
CS3N90A3H1-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |