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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
MC7812CTGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:35V;输出电压:12V;压差:2V@(1A);输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(1kHz);获取价格
MC7805CTGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:35V;输出电压:5V;压差:2V@(1A);输出电流:1A;获取价格
LM2931T-5.0GMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:40V;输出电压:5V;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):90dB@(120Hz);获取价格
MMBT2222AWT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
MMBTA06WT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):150mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;获取价格
MMBT3906WT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):150mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;获取价格
NTS4001NT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):270mA;功率(Pd):330mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100uA;获取价格
2N7002WT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):310mA;功率(Pd):280mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
LM431SBCMFXMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:可调;输入电压:-;输出电压:2.495V~36V;输出电流:100mA;精度:±1%;获取价格
BZX84B6V8LT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.This series of Zener diodes is offered in the convenient, surface mount plastic SOT-23 package. These devices are designed to provide voltage regulation with minimum space requirement. They are well suited for applications such as cellular phones, hand he获取价格
LM431SCCMFXMurata Manufacturing Co., Ltd.电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:-;输出电流:100mA;精度:±0.5%;温度系数:50ppm/℃;静态电流:-;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):-;工作温度:-25℃~+85℃@(Ta);获取价格
FDD6685Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):11A;40A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@11A,10V;获取价格
NTD3055L170T4GMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ@5V,4.5A;获取价格
FDD8447LMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):15.2A;50A;功率(Pd):3.1W;44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,14A;获取价格
FDD8870Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):21A;160A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9mΩ@10V,35A;获取价格
FDD7N60NZTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5.5A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.25Ω@10V,2.75A;获取价格
FDD16AN08A0Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):9A;50A;功率(Pd):135W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,50A;获取价格
FQD5N60CTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,1.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
FQD1N60CTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1A;功率(Pd):2.5W;28W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5Ω@10V,500mA;获取价格
FDD8782Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格