| BCP68T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V; | | | 获取价格 |
| NSS60600MZ4T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):800mW; | | | 获取价格 |
| PZTA42T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCP53-10T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BCP56T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NSS60601MZ4T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,2V; | | | 获取价格 |
| NJT4030PT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V; | | | 获取价格 |
| BF720T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NSV60601MZ4T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | | | 获取价格 |
| MC74LCX125DR2G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 每个元件位数:-;电源电压:2V~3.6V;灌电流(IOL):24mA;拉电流(IOH):24mA; | | | 获取价格 |
| SI8220BB-D-ISR | Murata Manufacturing Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| NTB190N65S3HF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):162W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10A,10V; | | | 获取价格 |
| MJD50T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):15W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@300mA,10V; | | | 获取价格 |
| MJD253T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@200mA,1V; | | | 获取价格 |
| MJD45H11T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; | | | 获取价格 |
| MJD31T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJD31CRLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V; | | | 获取价格 |
| MJD200T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@2A,1V; | | | 获取价格 |
| MJD2955T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V; | | | 获取价格 |
| NTD4860NT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
工商网监