| SMMBT3906LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC817-40LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC858BLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| NSS40201LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):370@50mA,2V; | | | 获取价格 |
| NSS20201LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):360@500mA,2V; | | | 获取价格 |
| NSS1C201LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):710mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):240@500mA,2V; | | | 获取价格 |
| BC858CLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BC817-40LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BSS123LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):170mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6Ω@10V,100mA; | | | 获取价格 |
| FDN352AP | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):1.3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,1.3A; | | | 获取价格 |
| FDN304P | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.4A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@4.5V,2.4A; | | | 获取价格 |
| FDN335N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.7A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,1.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| NTR5105PT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):196mA;功率(Pd):347mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,100mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| NDS332P | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@4.5V,1.1A; | | | 获取价格 |
| NTR5103NT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):260mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,240mA; | | | 获取价格 |
| NTR4003NT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):690mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA; | | | 获取价格 |
| NTR5198NLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.7A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):155mΩ@10V,1A; | | | 获取价格 |
| MMBFJ270 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| BVSS138LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):200mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@5V,200mA; | | | 获取价格 |
| MMBFU310LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
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