| RN1103F | TOSHIBA[ToshibaSemiconductor] | RN1103F - Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications - Toshiba Semiconductor | | | 获取价格 |
| TLP785(GB-TP6,F | TOSHIBA CORPORATION | 光隔离器 晶体管 输出 5000Vrms 1 通道 SOP-4 | | | 获取价格 |
| 7UL1T125FU,LF | TOSHIBA CORPORATION | 缓冲器，非反向 1 元件 1 位每元件 三态 Output USV | | | 获取价格 |
| 74LCX541FT | TOSHIBA CORPORATION | 缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOPB | | | 获取价格 |
| TLP2745(D4-TP,E | TOSHIBA CORPORATION | 光电耦合器 SO-6 | | | 获取价格 |
| SSM3K361R.LF | TOSHIBA CORPORATION | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| TLP550(F | TOSHIBA CORPORATION | | | | 获取价格 |
| 1SV308,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 二极管 - 射频 PIN - 单 30V 50 mA ESC | | | 获取价格 |
| 1SV279,H3F | TOSHIBA CORPORATION | PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR= | | | 获取价格 |
| TK155A65Z,S4X | TOSHIBA CORPORATION | MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS | | | 获取价格 |
| TK11A65W,S5X(M | TOSHIBA CORPORATION | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.1A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@450uA; | | | 获取价格 |
| RN1117MFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN1114MFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN2130MFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM | | | 获取价格 |
| RN2107MFV,L3F(CT | TOSHIBA CORPORATION | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM | | | 获取价格 |
| RN2101MFV,L3F(CT | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN2106MFV,L3F(CT | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN2101MFV,L3XHF(CT | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN1103MFV,L3XHF(CT | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| TLP525G(F | TOSHIBA CORPORATION | 可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.15V;正向电流:50mA;断态峰值电压(Vdrm):400V;静态dv/dt:500V/us;输出电流(It(rms)):100mA; | | | 获取价格 |
