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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
KL1C101M-CRE77ST(先科)贴片铝电解电容获取价格
HU2G2R2M-CRE10ST(先科)贴片铝电解电容获取价格
HU2G6R8M-CRG12ST(先科)贴片铝电解电容获取价格
ZMM10-MST(先科)稳压二极管 Vz=10V Pd=500mW LL34获取价格
ZMM2V2-MST(先科)稳压二极管 Vz=2.2V Pd=500mW LL34获取价格
MM1Z2V7ST(先科)稳压二极管 SOD123 Vz=2.7V Ir=120µA获取价格
8050DUST(先科)硅外延功率晶体管 100nA 25V 625mW 160@100mA,1V 1.5A 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN +150℃@(Tj) SOT-89-3获取价格
MMFTP3401ST(先科)MOSFETs P-沟道 30V 4A 85mΩ@2.5V SOT23获取价格
MMBT9015CST(先科)SOT23-3 PNP 100mA 45V 650mV 200~450 3Pins获取价格
HZ6C2ST(先科)硅外延平面齐纳二极管 6V~6.3V VF=1V IF=100mA Izt=5mA获取价格
ZMM5224BST(先科)稳压二极管 Vz=2.8V 2.66V~2.94V Izt=20mA P=500mW LL34获取价格
ZM4754AST(先科)硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W获取价格
BC847C(1G)ST(先科)晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN获取价格
1N4750AST(先科)齐纳/稳压二极管 DO41 IR=5μA Vz=27V获取价格
ZMM5239BST(先科)硅平面齐纳二极管LL34 Vz=9.1V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA获取价格
BZX84C15ST(先科)齐纳/稳压二极管 Vz=15V Izt=5mA SOT23-3获取价格
1N4737AST(先科)二极管配置:独立式 稳压值(标称值):7.5V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):10μA@5V 阻抗(Zzt):4Ω 7.5V 1W获取价格
1N4736AST(先科)齐纳/稳压二极管 DO41 Vz=6.8V IR=10µA获取价格
ZMM7V5-MST(先科)稳压二极管 Vz=7.5V Pd=500mW LL34获取价格
ZM4753AST(先科)硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W获取价格