GBU10A ... GBU10M
GBU10A ... GBU10M
IFAV = 10 A
VF < 1.0 V
Tjmax = 150°C
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 200/220 A
trr
~ 1500 ns
Version 2020-04-14
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade 1)
21.5
±0.1
±0.7
5.3 +0.5
1.7 ±0.1
2.2
0.5+0.1
+0.2
1.1 - 0.1
1.8
+0.2
1.8+0.7
Features
For free-standing or
heatsink assembly
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Dimensions - Maße [mm]
Pb
Mechanical Data 1)
Bulk in cardboard trays
Suffix -T: packed in tubes
Weight approx.
5.08
Besonderheit
Montage freistehend oder
auf Kühlkörper
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
EE
WE
GBU ...
~ ~ +
–
18.2 ±0.3
3.6±0.2
5.6
3.4
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung 1)
EL
V
GBU
Mechanische Daten 1)
1000
20/1000
Lose in Einlagekartons
Suffix -T: verpackt in Stangen
3.8 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V] 3)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 4)
GBU10A
35
50
GBU10B
70
100
GBU10D
140
200
GBU10G
280
400
GBU10J
420
600
GBU10K
560
800
GBU10M
700
1000
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
R-load
C-load
TA = 40°C
IFAV
7.0 A 5)
6.2 A 5)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
R-load
C-load
TC = 100°C
IFAV
10.0 A
8.0 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
50 A 5)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
IFSM
200 A
220 A
t < 10 ms
i2t
200 A2s
Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
Tj/S
-50...+150°C
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M3
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral
1
2
3
4
5
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
Valid per diode – Gültig pro Diode
Leads kept at ambient temperature in 5 mm distance from case – Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf TA gehalten
1
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
GBU10A ... GBU10M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 10 A
VF
< 1.0 V 1)
< 1.1 V 1)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA 1)
trr
typ. 1500 ns 1)
Cj
120 pF 1)
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
VR = 4 V
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
> 1500 VRMS
Typical thermal resistance junction to ambient (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
RthA
18 K/W 2)
Typical thermal resistance junction to case (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
RthC
2.7 K/W
Rt
Type
Typ
3)
~
_
~
+
CL 4)
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
Rt [Ω] 3)
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] 4)
GBU10A
0.25
20000
GBU10B
0.5
10000
GBU10D
1.0
5000
GBU10G
2.0
2500
GBU10J
3.0
1500
GBU10K
4.0
1000
GBU10M
5.0
800
103
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
10-1
0.4
0
0
TC 50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
270a-(12a-1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1
2
3
4
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Rt = VRRM / IFSM
Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
CL = 5 ms / Rt
If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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