Technische Informationen /
technical information
Kenndaten
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06B02
Key Parameters
VRRM
400 V - 600 V
IFAVM
15130 A (TC=78 °C)
IFSM
VT0
103000 A
3570A (TC=55°C)
0,76 V
rT
0,018 mΩ
RthJC
4,7 K/KW
Clamping Force
40 … 80 kN
Max. Diameter
65 mm
Cathode Diameter
58 mm
Height
5 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Hohe Lastwechelfestigkeit
High power cycling capability
Hohe Stromtragfähigkeit
High current capability
Geringe Durchlassverluste
Low on-state losses
Typische Anwendungen
Typical Applications
Widerstandsschweissen
Gleichrichter für Galvanik
Kleinspannungs Hochstromgleichrichter
Date of publication: 2020-08-26
Resistance welding
Recitifiers for galvanic applications
Low voltage high current rectifier
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Technische Informationen /
technical information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06B02
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
tp 5ms
IFRMSM
23750 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 78°C
IFAVM
15130 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100°C, θ = 180°sin, tP = 10ms
IFAVM
12810 A
IFRMS
20120 A
IFAVM
17370 A
IFRMS
27280 A
IFSM
103000 A
95000 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
TC = 55°C, θ = 180°sin, tP = 10ms
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
=T
, t = 10 ms
ThermischeT Eigenschaften
vj
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung High Level
threshold voltage
Ersatzwiderstand High Level
slope resistance
Schleusenspannung Low Level
threshold voltage
Ersatzwiderstand Low Level
slope resistance
Durchlaßkennlinie
2800A ≤ iF ≤ 37000A
on-state characteristic
v F A B i F C ln (i F 1) D
Sperrstrom
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand*
thermal resistance, junction to case*
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
vj max
400 V
600 V
P
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Tvj = Tvj max , iF = 8000A
vF
max.
0,89 V
Tvj = Tvj max
IT=10000A….37000A
V(TO)
max.
0,76 V
rT
max.
0,018 mΩ
V(TO)
max.
0,66 V
rT
max.
0,028 mΩ
Tvj = Tvj max
IT=1000A….10000A
Tvj = Tvj max
53000 A²s*10³
45100 A²s*10³
A=
B=
C=
D=
iF
Tvj = Tvjmax , vR = VRRM
iR
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCH
2,787E-01
1,307E-05
5,298E-02
4,151E-04
max.
100 mA
max.
max.
4,7 K/kW
4,0 K/kW
max.
2,5 K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
180 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+180 °C
*Lower RthJC Values on request
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06B02
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
Schwingfestigkeit
vibration resistance
40…80
typ.
kN
155 g
f = 50 Hz
50 m/s²
Hinweis:
Wir empfehlen, die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen
Note:
We recommend to protect the diode with a heat resistant O-ring
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
beidseitig
two-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [K/kW]
2,5
0,484
0,922
0,094
-
-
-
n [s]
0,0621
0,0281
0,00897
0,000407
-
-
-
Analytische Funktion / Analytical function:
Z thJC
nmax
R
thn
1 e
-t
n
n=1
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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Trans. beidseitig
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
ΔZth Θ sin180°
ΔZth Θ rec 180°
ΔZth Θ rec 120°
ΔZth Θ rec 90°
ΔZth Θ rec 60°
ΔZth Θ rec 30°
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
0,6630
0,8465
1,2829
1,5710
1,9736
2,7543
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Rectifier Diode
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Durchlasskennlinie
Durchlassverluste
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(IFAVM)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
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