FF1800R12IE5BPSA1

FF1800R12IE5 PrimePACK™3+B-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC PrimePACK™3+B-seriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 1200V IC nom = 1800A / ICRM = 3600A PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • Highpowerconverters • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • HoheKurzschlussrobustheit • SehrgroßeRobustheit • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5 ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Highshort-circuitcapability • Unbeatablerobustness • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5 MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2019-10-16 FF1800R12IE5 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C ICDC  1800  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  3600  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,70 2,00 2,15 2,15 2,45 2,60 V V V 5,80 6,35 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1800 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 49,2 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 8,65 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,5 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 98,5 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,90 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VCE sat VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1800 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1800 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1800 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1800 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1800 A, VCE = 600 V, Lσ = 30 nH di/dt = 8150 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1800 A, VCE = 600 V, Lσ = 30 nH du/dt = 2350 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 0,82 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,24 0,29 0,31 µs µs µs 0,19 0,20 0,20 µs µs µs 0,57 0,63 0,66 µs µs µs 0,10 0,12 0,14 µs µs µs Eon 130 195 235 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 210 260 290 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C ISC 6800 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,25 2 17,3 K/kW 11,4 -40 K/kW 175 °C V3.1 2019-10-16 FF1800R12IE5 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C VRRM  1200  V IF  1800  A IFRM  3600  A I²t  760 720  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,90 1,75 1,70 2,35 2,20 2,15 IF = 1800 A, - diF/dt = 8700 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C IRM 810 1150 1300 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1800 A, - diF/dt = 8700 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C Qr 175 330 435 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1800 A, - diF/dt = 8700 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C Erec 79,0 145 190 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1800 A, VGE = 0 V IF = 1800 A, VGE = 0 V IF = 1800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 28,3 K/kW 13,2 -40 K/kW 175 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 3 V3.1 2019-10-16 FF1800R12IE5 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  36,0 28,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  21,0 19,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,10 0,09 mΩ -40 TBPmax SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight G 4 max. 10 Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Datasheet typ. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature  > 400 min. 3,00 150 °C 150 °C 6,00 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1400 g V3.1 2019-10-16 FF1800R12IE5 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=175°C 3600 3600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 3300 2700 2700 2400 2400 2100 2100 IC [A] 3000 IC [A] 3000 1800 1800 1500 1500 1200 1200 900 900 600 600 300 300 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 3300 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.82Ω,RGoff=0.82Ω,VCE=600V 3600 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 3300 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 700 3000 2700 600 2400 500 IC [A] E [mJ] 2100 1800 400 1500 300 1200 900 200 600 100 300 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 600 1200 1800 IC [A] 2400 3000 3600 V3.1 2019-10-16 FF1800R12IE5 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1800A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 1400 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 1300 1200 ZthJC : IGBT 1100 1000 10 900 ZthJC [K/kW] E [mJ] 800 700 600 500 1 400 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 0,681 1,4 14,1 1,09 τi[s]: 0,001 0,00879 0,0446 0,872 100 0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 RG [Ω] 5,0 6,0 7,0 0,1 0,001 8,0 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.82Ω,Tvj=175°C 4000 0,01 0,1 t [s] 1 10 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=1800A,Tvj=25°C 15 IC, Modul IC, Chip VCC = 600V 12 3500 9 3000 6 2500 IC [A] VGE [V] 3 2000 0 -3 1500 -6 1000 -9 500 0 -12 0 Datasheet 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 -15 6 0 1 2 3 4 5 6 QG [µC] 7 8 9 10 V3.1 2019-10-16 FF1800R12IE5 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.82Ω,VCE=600V 3600 240 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 3300 200 2700 180 2400 160 2100 140 IF [A] E [mJ] 3000 1800 120 1500 100 1200 80 900 60 600 40 300 20 0 0,0 0,5 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 220 1,0 1,5 2,0 0 2,5 0 600 1200 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1800A,VCE=600V 1800 IF [A] 2400 3000 3600 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 220 100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 200 ZthJC : Diode 180 160 ZthJC [K/kW] E [mJ] 140 120 100 10 80 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,08 9,59 15 2,58 τi[s]: 0,000917 0,0207 0,0658 0,824 20 0 0,0 Datasheet 1,0 2,0 3,0 4,0 RG [Ω] 5,0 6,0 7,0 1 0,001 8,0 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.1 2019-10-16 FF1800R12IE5 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 10 0 Datasheet 25 50 75 100 TNTC [°C] 125 150 175 8 V3.1 2019-10-16 FF1800R12IE5 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines C (247) screwing depth max. 8mm 8x 26 m 0,35 A D E 3 c0,1 8x (M4) 8x max. (2) E recommended design height m 1,2 A D E 8x 36,5 m q0,35 A B C 89 c0,6 Y X screwing depth max. 16mm 8x 36,5 (86) 2,5 0,5 0 8x max. (3) recommended design height m 0,8 A D E 8x D 117 8x (M8) m q0,35 A B C m q0,5 A D E 14x 117 107 70 78 33 39 14 4 0 25 59 53 41 39 78 111 103 93 92 B 14x q5,5 c0,1 117 (q5,5) 36,5 38,25 m q1,8 A D E 8x M 8x 8x q5 m q0,4 CZ A A 250 c1 ~ 8x 36,5 18,2 K Y X 0 H'K g 0,2 A M-M H 16,7 36,5 Dimension in mounted condition ISO 10579 Datasheet 9 0 14 25 53 92 103 124,7 Terminal heights measurement at the end of bending radius V3.1 2019-10-16 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2019-10-16 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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