Q62702-P102

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 205 F Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Auch gegurtet lieferbar Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Features q Especially suitable for applications of 950 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q 5 mm LED plastic package q Also available on tape Applications q IR-remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, dimmers, remote control of various equipment q Photointerrupters Typ (*vorher) Type (* formerly) SFH 205 F (* SFH 205) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P102 Semiconductor Group 1 1998-03-17 feof6647 SFH 205 F Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip surface to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Symbol Symbol Wert Value 60 (≥ 45) Einheit Unit µA Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 230 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS VR Ptot 32 150 V mW S λS max λ 950 800 ... 1100 nm nm A L×B L×W H 7.00 2.65 × 2.65 mm2 mm × mm 2.3 ... 2.5 mm ϕ ± 60 2 (≤ 30) Grad deg. nA IR Semiconductor Group 2 1998-03-17 SFH 205 F Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Quantenausbeute Quantum yield Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit Symbol Symbol Wert Value 0.59 0.77 330 (≥ 250) 28 20 Einheit Unit A/W Electrons Photon mV µA ns Sλ η VO ISC tr, tf VF C0 TCV TCI NEP 1.3 72 – 2.6 0.18 4.3 × 10– 14 V pF mV/K %/K W √Hz cm · √Hz W D* 6.2 × 1012 Semiconductor Group 3 1998-03-17 SFH 205 F Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) ΙP Total power dissipation Ptot = f (TA) 10 4 mV 160 mW Ptot 140 120 100 OHF00394 µA 10 3 OHF01097 VO 10 3 10 2 VO 10 1 10 2 80 60 ΙP 10 0 10 1 40 20 10 -1 0 10 10 1 10 2 µW/cm 2 Ee 10 0 10 4 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 100 OHF00081 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 10 3 OHF00082 C pF 80 70 60 50 40 30 20 10 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 Ι R nA 10 2 10 1 10 0 10 -1 0 20 40 60 VR 80 ˚C 100 TA Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 1.0 OHF01402 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 4 1998-03-17