NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
SFH 3401
Chip position
1.1 1.0 0.3 0.2
4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3
0.8 0.6
Collector
2.7 2.5
Emitter
GEO06973
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm q Hohe Linearität q SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) q Nur gegurtet lieferbar Anwendungen q Umgebungslicht-Detektor q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q „Messen/Steuern/Regeln“
2.1 1.9
0.5 0.3 1.1 0.9
0.1 0.0
Base
Features q Especially suitable for applications from 460 nm to 1080 nm q High linearity q SMT package with base connection, suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) q Available only on tape and reel Applications q Ambient light detector q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1998-04-27
SFH 3401
Typ Type SFH 3401
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5014
Gehäuse Package Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung: breiter Anschluß Transparent epoxy resin, collector marking: broad lead
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektor-Emitterspannung, t < 120 s Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb Symbol Symbol Top; Tstg VCE VCE IC ICS VEC Ptot RthJA Wert Value – 40 ... + 85 20 70 50 100 7 120 450 Einheit Unit
oC
V V mA mA V mW K/W
Semiconductor Group
2
1998-04-27
SFH 3401
Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Kapazität, VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Kapazität, VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.1 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Symbol Symbol λS max λ Wert Value 850 Einheit Unit nm
460 ... 1080 nm
A LxB LxW H ϕ CCE CCB CEB ICEO
0.55 1x1 0.2 ... 0.3 ± 60 15 45 19 10 (≤ 200)
mm2 mm x mm mm Grad deg. pF pF pF nA
IPCB IPCB
0.28 4.8
µA µA
Semiconductor Group
3
1998-04-27
SFH 3401
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 Stromverstärkung Current gain Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V
1) 1)
Symbol Symbol
Wert Value -1 -2 -3
Einheit Unit
IPCE IPCE tr, tf
63 ... 125 1.65 16
100 ... 200 160 ... 320 2.6 24 4.2 34
µA mA µs
VCEsat
170
170
170
mV
I PCE ---------I PCB
340
530
860
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
40 30 20 10
ϕ
0 1.0
OHF01402
50 0.8 60
0.6
70
0.4
80
0.2 0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1998-04-27
SFH 3401
TA = 25 oC, λ = 950 nm Rel.spectral sensitivity Srel = f (λ)
100
OHF02332
Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
10 1 mA 1 2 3
OHF00326
Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
50
OHF02344
S rel %
80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ
Ι pce
C CE pF
40
10 0
10 -1
30
10 -2
20
10 -3
10
10 -4 -3 10
10 -2
mW/cm 2 Ee
10 0
0 -2 10
10 -1
10 0
10 1
V 10 2 V CE
Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 °C
Ι PCE 25
1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25
Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0
OHF01524
Collector-base capacitance CCB= f (VCB), f = 1 MHz, E = 0
C CB
50 pF 45 40
OHF00332
Ι PCE
1.6
Ι CEO
10 2 nA
OHF02342
10 1
35 30
10 0
25 20
10 -1
15 10 5
10 -2
0
25
50
75 C 100 TA
0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
0 -2 10
10 -1
10 0
10 1
V 10 2 V CB
Photocurrent IPCE = f (VCE) SFH 3401-3
Ι pce
3.0 mA 2.5 1.0 mW/cm 2
OHF00327
Dark current ICEO = f (VCE), E = 0
Ι CEO
10 2 nA
OHF02341
Emitter-base capacitance CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0
C EB
20 pF 18 16 14 12
OHF00333
10 1
2.0
1.5 0.5 mW/cm 2 1.0 0.25 mW/cm 2 0.5 0.1 mW/cm 2 0
10 0
10 8
10 -1
6 4 2
10 -2
0 10 20 30 40 50 60 V 70 Vce
0
10
20
30
40
50
V 70 V CE
0 -2 10
10 -1
10 0
10 1
V 10 2 V EB
Semiconductor Group
5
1998-04-27
SFH 3401
Total power dissipation Ptot = f (TA)
140 Ptot mW 120 100 80 60 40 20 0
OHF00309
0
20
40
60
80 C 100 TA
Photocurrent IPCE = f (VCE), IB = Parameter
6 mA 5 6 µA 5 µA 4 4 µA 3 3 µA 2 µA 1 µA
OHF00334
Ι PCE
2
1
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 V 20 V CE
Semiconductor Group
6
1998-04-27