| HY1607B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG025N06LS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,40A; | | | 获取价格 |
| HYG054N09NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):135A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):88.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.067nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):59pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG060N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):105A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):48nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.95nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY1904D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):72A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,36A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG045N10NS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG090N06LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.002nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):32pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY3810P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):346W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,90A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG010N06NS1TA | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs TOLL N-沟道 VDS=60V ID=465A | | | 获取价格 |
| HYG200P10LR1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs P-Channel 100V 80A TO220FB-3L 214W 91pF -1μA +175℃(TJ) | | | 获取价格 |
| HY19P03B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY19P03B | | | 获取价格 |
| HYG120P06LR1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY1920W | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY1920W | | | 获取价格 |
| HY15P03S | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY15P03S | | | 获取价格 |
| HY4008B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY4008B | | | 获取价格 |
| HYG400P10LR1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG400P10LR1D | | | 获取价格 |
| HY0810S | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY0810S | | | 获取价格 |
| HY1908D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=90A RDS(ON)=9mΩ@10V TO252-2L | | | 获取价格 |
| HYG065N07NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.99nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):26pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY1506D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
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