| NCP81080MNTBG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 驱动配置:半桥;负载类型:MOSFET;电源电压:5.5V~20V;峰值灌电流:800mA;峰值拉电流:500mA; | | | 获取价格 |
| NJVMJD45H11T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@2A,1V; | | | 获取价格 |
| CAT24C02TDI-GT3A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CAT24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAT24C02 器件的寻址。 | | | 获取价格 |
| NVF6P02T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):8.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44mΩ@4.5V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):940pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):110pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2N5550TFR | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; | | | 获取价格 |
| MUR180ERLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.75V@1A;反向电流(Ir):10uA@800V; | | | 获取价格 |
| 1N4003RLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):930mV@1A;反向电流(Ir):50nA@200V; | | | 获取价格 |
| 1N5956BRLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):200V;稳压值(范围):190V~210V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):1uA@152V;阻抗(Zzt):1.2kΩ; | | | 获取价格 |
| MBR1100RLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):790mV@1A; | | | 获取价格 |
| MUR160G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.25V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MBR1100G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):790mV@1A; | | | 获取价格 |
| MUR110RLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):875mV@1A;反向电流(Ir):2uA@100V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MC78L09ACPG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:30V;输出电压:9V;压差:-;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):57dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| LM2931AZ-5.0G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:40V;输出电压:5V;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):90dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| FJP13009H2TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@5A,5V; | | | 获取价格 |
| TIP31CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):40W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| TIP30CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):30W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,4V; | | | 获取价格 |
| FDP032N08B-F102 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):263W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,100A; | | | 获取价格 |
| FQP6N90C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):167W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | | | 获取价格 |
| FDP61N20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):61A;功率(Pd):417W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):41mΩ@10V,30.5A; | | | 获取价格 |
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