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序号器件名产品描述数据手册生厂商
12SC945-P晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.
2250-222Pcb Terminal Block; Push-Button; 1.5 Mm ; Pin Spacing 3.5 Mm; 22-Pole; Push-In Cag...下载WAGO
3250-213Pcb Terminal Block; Push-Button; 1.5 Mm ; Pin Spacing 3.5 Mm; 13-Pole; Push-In Cag...下载WAGO
42N6517BU晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):350V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@50...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
52SA2039-TL-E晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
62EZ7.5D5二极管 - 齐纳 7.5 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)下载Microchip Technology Inc.
72EZ33D5二极管 - 齐纳 33 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)下载Microchip Technology Inc.
82EZ75D5二极管 - 齐纳 75 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)下载Microchip Technology Inc.
92EZ18D5--TR12二极管 - 齐纳 18 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)下载Microchip Technology Inc.
102EZ28_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
112A07G-T A0G二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1V@2A;下载TAIWAN SEMICONDUCTOR
122EZ24_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
132EZ8.2_R2_00001SILICON ZENER DIODE下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
142EZ39_R2_00001二极管 - 齐纳 39 V 2 W ±5% 通孔 DO-15下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
152SC2983晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电...下载Rubycon Corporation
162SC2073T1TL晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):25W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱...下载Sourcechips
172SC4081FRAT106R晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;下载Rohm Semiconductor
182SA1576A晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,I...下载Rubycon Corporation
192N7002W类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,50...下载Rubycon Corporation
202N7002WT1G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):310mA;功率(Pd):280mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.