| 1 | 2EZ7.5D5 | 二极管 - 齐纳 7.5 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41） | 下载 | Microchip Technology Inc. |
| 2 | 2EZ33D5 | 二极管 - 齐纳 33 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41） | 下载 | Microchip Technology Inc. |
| 3 | 2EZ75D5 | 二极管 - 齐纳 75 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41） | 下载 | Microchip Technology Inc. |
| 4 | 2EZ18D5--TR12 | 二极管 - 齐纳 18 V 2 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41） | 下载 | Microchip Technology Inc. |
| 5 | 2EZ28_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
| 6 | 2A07G-T A0G | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1V@2A; | 下载 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| 7 | 2EZ24_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
| 8 | 2EZ8.2_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
| 9 | 2EZ39_R2_00001 | 二极管 - 齐纳 39 V 2 W ±5% 通孔 DO-15 | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
| 10 | 2SC2983 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 11 | 2SC2073T1TL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):25W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱... | 下载 | Sourcechips |
| 12 | 2SC4081FRAT106R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW; | 下载 | Rohm Semiconductor |
| 13 | 2SA1576A | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,I... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 14 | 2N7002W | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,50... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 15 | 2N7002WT1G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):310mA;功率(Pd):280mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 16 | 2N7002PW,115 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):310mA;功率(Pd):260mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 17 | 2SC6026MFV-Y,L3F | NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H | 下载 | TOSHIBA CORPORATION |
| 18 | 2SB649A-C | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. |
| 19 | 2SB1261-M | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(... | 下载 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. |
| 20 | 2SJ356-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,6.5A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
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