1 | FK08X101K502EEG | | 下载 | Prosperity Dielectrics Co., Ltd |
2 | FH2R7L256M-N1625 | 超级电容器 插件,P=7.5mm 25F ±20% 2.7V | 下载 | GUANGDONG FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY HOLOING CO.,LTD. |
3 | FDS8958A-F085 | MOSFET - 阵列 30V 7A,5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC | 下载 | ON Semiconductor |
4 | FP0705R2-R10-R | 105 nH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 38 A 0.32 毫欧 非标准 | 下载 | Eaton |
5 | FZT705 | | 下载 | Diodes Incorporated |
6 | FDB075N15A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):333W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
7 | FZT749 | | 下载 | Diodes Incorporated |
8 | FCD2250N80Z | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):39W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.25Ω@1.3A,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
9 | FIR15N10LG-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
10 | FR104W F4 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A; | 下载 | Mason semiconductor |
11 | FR107S | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):500ns; | 下载 | EIC |
12 | FRL2512JR680TS | | 下载 | FOJAN Resistor |
13 | FHS150N1F4A | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. |
14 | FHS110N8F5A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):157W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A... | 下载 | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. |
15 | FH17P03D | | 下载 | Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd. |
16 | FH1806D2 | | 下载 | Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd. |
17 | FS2309 | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.6A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,1... | 下载 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd |
18 | FS3402 A2LA | | 下载 | FOSAN Semiconductor |
19 | FDN352AP | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):1.3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
20 | FDN304P | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.4A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@4.5V,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |