| 1 | FM25Q16A-SO-T-G | FLASH存储器 16Mbit, SPI FLASH SOP-8 | 下载 | Shanghai Fudan Microelectronics Group Co., Ltd. |
| 2 | F4 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(tr... | 下载 | DIYI ELECTRONIC |
| 3 | FZT600 | | 下载 | Diodes Incorporated |
| 4 | FQT4N20LTF | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):850mA;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35Ω@10V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | FDB2572 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):4A；29A;功率(Pd):135W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):54mΩ@10V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 6 | FDB12N50F-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,12A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 7 | FRC1812J682 TS | | 下载 | FOJAN Resistor |
| 8 | FCC0603B103K500CT | | 下载 | FOJAN Resistor |
| 9 | FDD14AN06LA0-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 10 | FR9120N-VB | | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 11 | FH1804D | 漏源电压(Vdss):40V; | 下载 | Shenzhen Xinfeihong Electronics Co., Ltd. |
| 12 | FRL1812JR470TS | | 下载 | FOJAN Resistor |
| 13 | FRC0603F2673TS | | 下载 | FOJAN Resistor |
| 14 | FZ100UF35V90RV0064 | | 下载 | KNSCHA |
| 15 | FDB8832 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,80... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 16 | FS3407 | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):1.67W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,4... | 下载 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd |
| 17 | FS3400 X0FS22 | | 下载 | FOSAN Semiconductor |
| 18 | FS3400 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,2.... | 下载 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd |
| 19 | FDC3612-HF | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@10V,... | 下载 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD |
| 20 | FDC2512-HF | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):319mΩ@10V,... | 下载 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD |
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