1 | KIA2906A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A... | 下载 | KIA |
2 | KNP3508A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,35A;阈值... | 下载 | KIA |
3 | KTD600K-Y-U--PH | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电... | 下载 | KEC CORPORATION |
4 | KTB631K-Y-U--PH | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(... | 下载 | KEC CORPORATION |
5 | KSA1381ESTU | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):7W; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
6 | KND3203B | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,24A... | 下载 | KIA |
7 | KTC4378 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW; | 下载 | Rubycon Corporation |
8 | KIA7042AF-RTF--P | 双线性集成电路,电压监控,检测电压为4.2V | 下载 | KEC CORPORATION |
9 | KCGJ2502G101MF | 直插铝电解电容 插件,D18xL25mm 100µF ±20% 400V | 下载 | Ymin |
10 | KRA101-AT--P | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):625mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | 下载 | KEC CORPORATION |
11 | KSP92BU | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
12 | KTC1027-Y-AT--P | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和... | 下载 | KEC CORPORATION |
13 | KSP42BU | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
14 | KL817S1-C-TU-F | 晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
15 | KL817-A-F | 晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200... | 下载 | Kinglight |
16 | KL817M-B-F | 晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
17 | KL817-C-F | 晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
18 | KL817S1-C-TU | 晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
19 | KL817S1-B-TU | 晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
20 | KL816M-C | 晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |