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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1SF34二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(t...下载Goodwork Semiconductor Co.,Ltd.
2SF34二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间...下载Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.
3SDURB2060A二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):2.1V@20A;反向电流(Ir):2uA@600V;反向恢复时...下载SMC Diode Solutions
4SCJT1117B-1.8输出类型:-;下载Rubycon Corporation
5SED5120输出类型:-;输出极性:-;输出通道数:-;最大输入电压:-;输出电压:-;压差:-;静态电流(地电流):-;输出电流:-;电源纹波抑制比(PSRR):-;噪声:-...下载SEAWARD electronics inc
6SCJT1117B-ADJ输出类型:-;下载Rubycon Corporation
7SL7550-9输出类型:-;下载SLKORMICRO Electronics Co., Ltd
8S8550-H晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载Jingdao
9SCJT1117B-3.3输出类型:-;下载Rubycon Corporation
10SS8050CBU晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
11SE3578下载SEAWARD electronics inc
12SC91F72BD20UCPU内核:51系列;CPU最大主频:-;工作电压范围:3.6V~5.5V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:4KB;RAM总容量:128...下载Shenzhen SinOne Microelectronics Co.,Ltd.
13SC91F729BD14UCPU内核:51系列;CPU最大主频:-;程序存储容量:4KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:128Byte;GPIO端口数量:12;下载Shenzhen SinOne Microelectronics Co.,Ltd.
14SB160R直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):700mV@1A;下载Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.
15SB3150L直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):780mV@3A;下载Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.
16SLM2106SCA-13GTR下载Sillumin
17SF27二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.7V@2A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(tr...下载Goodwork Semiconductor Co.,Ltd.
18SB260E_AY_10001VR=60V IO=2A VF=0.7V@2A下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
19SF28G-T R0G二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.7V@2A;反向恢复时间(trr):35ns;下载TAIWAN SEMICONDUCTOR
20SB890DIODE SCHOTTKY 90V 8A DO201下载DIOTEC