2N3906

2N3906 PNP 半导体三极管 描述 / 引脚排列 Descriptions / Pinning TO-92 塑封封装 PNP 半导体三极管。 Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package.  PIN1：Collector 特征 PIN 2：Base / Features PIN 3：Emitter 12 Low current, Low voltage. 用途 / 3 内部等效电路 Applications / Equivalent Circuit ｃｔ 用于一般放大。 ｏｒ 低电流，低电压。 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) VCBO 数值 Rating -40 单位 Unit V VCEO -40 V VEBO -5.0 V Collector Current - Continuous IC -200 mA Collector Power Dissipation PC 625 mW Junction Temperature Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ Emitter to Base Voltage 　Ｓ 参数 Parameter ｅｍ 极限参数 ｉｃ ｏｎ ｄｕ General purpose amplifier. Storage Temperature Range 符号 Symbol ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第１／４页 2N3906 PNP 半导体三极管 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit IC=-10μA IE=0 -40 V VCEO IC=-1.0mA IB=0 -40 V Emitter to Base Breakdown Voltage VEBO IE=-10μA IC=0 -5.0 Collector Cut-Off Current ICBO VCB=-40V IE=0 Emitter Cut-Off Current IEBO VEB=-5.0V IC=0 hFE(1) VCE=-1.0V IC=-10mA hFE(2) VCE=-1.0V IC=-100mA Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC=-50mA Base to Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=-50mA IB=-5.0mA IC=-10mA VCE=-20V f=100MHz VCB=-5.0V IE=0 f=100KHz VCC=-3.0V IC=-10mA IB1=-1.0mA VBE=-0.5V VCC=-3.0V IC=-10mA IB1=-IB2=-1.0mA Current Gain Bandwidth Product fT Cob Ton 　Ｓ Turn On Time Toff ｃｔ ｄｕ -0.1 μA -0.1 μA 300 -0.4 V -0.95 V 250 MHz 4.5 pF 0.07 μs 0.3 μs ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ Turn Off Time V 30 ｏｎ ｅｍ Output Capacitance 100 IB=-5.0mA ｉｃ DC Current Gain ｏｒ VCBO ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第２／４页 2N3906 PNP 半导体三极管 / Electrical Characteristic Curve ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ 　Ｓ ｅｍ ｉｃ ｏｎ ｄｕ ｃｔ ｏｒ 电参数曲线图 ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第３／４页 2N3906 PNP 半导体三极管 / Package Dimensions MILLIMETERS ｃｔ DIM ｏｒ 外形尺寸图 4.55+0.20 B 14.50±0.30 C 3.54±0.20 D 4.56±0.20 E 1.30±0.20 F 0.46±0.20 G 0.50±0.10 H 0.32±0.10 N 1.30±0.20 P 2.52±0.20 ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ 　Ｓ ｅｍ ｉｃ ｏｎ ｄｕ A （Units：mm） ｗｗｗ．ｊｓｍｓｅｍｉ．ｃｏｍ 第４／４页