FMMV2101TA

1. 物料型号：文档描述了FMMV2101至FMMV2109系列的可变电容二极管。

2. 器件简介：文档没有提供具体的器件简介，但根据标题，这些是硅平面可变电容二极管。

3. 引脚分配：文档中提到了SOT23封装，但未详细说明引脚分配。

4. 参数特性： - 反向电压（VR）：30V - 正向电流（IF）：200mA - 在Tamb=25°C时的总功耗（Ptot）：330mW - 工作和存储温度范围（Tj-Tstg）：-55°C至+150°C

5. 功能详解： - 反向击穿电压（VBR）：30V - 反向电流（IR）：在VR=25V时最大为20nA - 串联电感（Ls）：在f=250MHz时，大约为3.0nH - 二极管电容温度系数（Tcc）：在VR=4V, f=1MHz时，为280ppm/°C至400ppm/°C - 外壳电容（Cc）：在f=1MHz时为0.15pF

6. 应用信息：文档没有提供具体的应用信息，但可变电容二极管通常用于调谐电路。

7. 封装信息：SOT23封装。

8. 调谐特性：文档列出了不同型号的标称电容值、品质因数（Q值）和调谐比（C2/C3）。