| BZX584C22 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 齐纳/稳压二极管 SOD-523 0.9V Original 17V 100Ω 0.1µA 200mW | | | 获取价格 |
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| BZX584C18 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 齐纳/稳压二极管 SOD-523 0.9V Original 13V 80Ω 0.1µA 200mW | | | 获取价格 |
| BZT52B10 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 齐纳/稳压二极管 SOD-523 0.9V Original 7V 160Ω 0.1µA 200mW | | | 获取价格 |
| BT131-600 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 晶闸管 TO-92 双向 塑料表面贴装封装 | | | 获取价格 |
| AO4435 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | MOSFETs SOP-8 P-Channel ID=10A PD=2.1W VDS=30V | | | 获取价格 |
| ZMM4V7 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 齐纳/稳压二极管 500nA@1V 80Ω 4.4V~5V 500mW 4.7V LL-34 | | | 获取价格 |
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| NDT3055 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | | | | 获取价格 |
| C1815 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | | | 获取价格 |
| BTA08-600TWRG | JSMICRO SEMICONDUCTOR | Triac, 800V, 8A, To-220Ab; Peak Repetitive Off State Voltage:600V; On State Rms Current:8A; Triac Case Style:to-220Ab; Gate Trigger Voltage Max:1.5V; Peak Non Repetitive Surge Current:80A; Holding Current Max:10Ma; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes | | | 获取价格 |
| IRF540NSTRPBF | JSMICRO SEMICONDUCTOR | MOSFETs N沟道 耐压:100V 电流:33A TO-263-2 | | | 获取价格 |
| AMS1117-5.0V | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 线性稳压器/LDO 正 Vout=5V 800mA SOT223 | | | 获取价格 |
| OB2269 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | OB2269 | | | 获取价格 |
| JSM6206A3.0XG | JSMICRO SEMICONDUCTOR | JSM6206系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差,具有过流和短路保护的MOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(6.0 μA Typ.),它们能在输入、输出电压差极小的情况下提供250mA的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。由于输入输出间的电压差很小和静态偏置电流很小,这些器件特别适用于希望延长电池寿命的电池供电类产品,如计算机、消费类产品和工业设备等 | | | 获取价格 |
| BZT52C8V2Q | JSMICRO SEMICONDUCTOR | SMT型齐纳二极管 | | | 获取价格 |
| MM3Z16BW | JSMICRO SEMICONDUCTOR | SMT型齐纳二极管 | | | 获取价格 |
| MM3Z2V4BW | JSMICRO SEMICONDUCTOR | SMT型齐纳二极管 | | | 获取价格 |
| AO3400 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW | | | 获取价格 |
| AO3402 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=4A P=1.25W | | | 获取价格 |
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