| CS540A4 | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| GL50N03A4 | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| GL14P04-8 | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. | MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=11mΩ@10V SOP8 | | | 获取价格 |
| GL80N03A4 | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):51nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.33nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):230pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| GL150N03AD | Guanglei Electronic Technology Co., Ltd. | MOSFET N-Channel VDS=30V ID=150A | | | 获取价格 |
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