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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
NJVNJD2873T4GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):15W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;获取价格
NJD2873T4GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):65MHz;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj);获取价格
MC78M12BDTRKGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:35V;输出电压:12V;压差:-;输出电流:500mA;获取价格
MC78M12CDTRKGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:35V;输出电压:12V;压差:-;输出电流:500mA;电源纹波抑制比(PSRR):80dB@(120Hz);获取价格
NCV7805BDTRKGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:35V;输出电压:5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):83dB@(120Hz);获取价格
MC7815CDTRKGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:35V;输出电压:15V;压差:2V@(1A);输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):58dB@(120Hz);获取价格
MC7812CDTRKGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:35V;输出电压:12V;压差:2V@(1A);输出电流:1A;获取价格
MC7812BDTGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:35V;输出电压:12V;压差:2V@(1A);输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(1kHz);获取价格
NCP1117DT33T5GMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:20V;输出电压:3.3V;压差:1.2V@(800mA);输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):64dB@(120Hz);获取价格
NCP1117DTARKGMurata Manufacturing Co., Ltd.输出类型:可调;输出极性:正;最大输入电压:20V;输出电压:1.25V~18.8V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):73dB@(120Hz);获取价格
BC847CWT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V;获取价格
FSL136MRMurata Manufacturing Co., Ltd.FSL136MR 集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和 SenseFET,专门为高性能离线开关模式电源 (SMPS) 而设计,且外部部件数量极小。FSL136MR 包含了集成式高电压电源开关稳压器,将雪崩坚固的 SenseFET 与电流模式 PWM 控制装置相结合。该集成式 PWM 控制器功能包括: 欠压锁定 (UVLO) 保护、 前缘间隔 (LEB)、用于 EMI 衰减的频率生成器、优化的门极开/关驱动器、高温关断 (TSD) 保护,用于回路补偿温度补偿精确电流源,以及故障保护电路。FSL136MR 提获取价格
BC847BTT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;获取价格
NTA4153NT1GMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):915mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):230mΩ@4.5V,600mA;获取价格
PN2907ABUMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2N3906BUMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;获取价格
KSP44TFMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):300mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,10V;获取价格
KSP42TAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V;获取价格
KSC1008CYTAMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW;获取价格
2N4401TFRMurata Manufacturing Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;获取价格