| B5819W SL | Rubycon Corporation | 直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):600mV@1A; | | | 获取价格 |
| MBR0560 | Rubycon Corporation | 直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):500mA;正向压降(Vf):700mV@500mA; | | | 获取价格 |
| BAV20W | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@150V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| CJ9112T6A | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| CJA03N10S | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA; | | | 获取价格 |
| CJA9451 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):135mΩ@4.5V,2.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| D882 Y档160~320 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW; | | | 获取价格 |
| KTC4374 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):400mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@200mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SA1201 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| KTC4379 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SB1260 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SA1203 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@1.5A,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX51-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SB1424 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;特征频率(fT):240MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SA1661 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SC2884 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):500mW; | | | 获取价格 |
| DTC123EE | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| CJ79L09 | Rubycon Corporation | 输出类型:固定;输出极性:负;最大输入电压:30V;输出电压:9V;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):-; | | | 获取价格 |
| S8050-TA | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 2SD879 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
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