DTC144EE | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
UMH10N | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
PMT280ENEAX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):1.5A;功率(Pd):770mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):385mΩ@1.5A,10V; | | | 获取价格 |
CJ431K | Rubycon Corporation | 输出类型:可调;输出电压:2.5V~36V;输出电流:100mA;最小阴极电流调节:1mA;工作温度:-25℃~+125℃@(TA); | | | 获取价格 |
BCP56 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-; | | | 获取价格 |
BCP52-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz; | | | 获取价格 |
BCP69-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
BCP53-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
PBSS5350Z,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
PZT2222A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@150mA,15mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
BZV49-C24,115 | Rubycon Corporation | 稳压值(标称值):-;稳压值(范围):22.8V~25.6V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):50nA@16.8V; | | | 获取价格 |
BUK9880-55A--CUX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,8A; | | | 获取价格 |
BCP55-10,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.35W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
PZTA42 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
CJ13-500001210B20 | Rubycon Corporation | 频率:50MHz;负载电容:12pF; | | | 获取价格 |
CJU12P06 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
74AHCT1G126GV,125 | Rubycon Corporation | 电源电压:4.5V~5.5V;输入类型:-;输出类型:三态;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;工作温度:-40℃~+125℃; | | | 获取价格 |
MJD31C | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):20μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
2SC4373 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
BCX53-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.3W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |