| BCX51-16,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.3W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BCX56-16,147 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX52TF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX56,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| PBSS4360XX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.35W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@3A,5V; | | | 获取价格 |
| PBSS4540X,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@2A,2V; | | | 获取价格 |
| PBSS5250X,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):320mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| PBSS303PX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):5.1A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):160mV@5.1A,255mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@6A,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCV26,215 | Rubycon Corporation | 30V 20000@5V,100mA PNP 220MHz 100nA 500mA 250mW +150℃@(Tj) 1V@100mA,100uA SOT-23 Darlington Transistors ROHS | | | 获取价格 |
| PDTC114ET,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
| PDTC123JT,215 | Rubycon Corporation | 100@10mA,5V 100mV@5mA,250uA 1 NPN - Pre Biased 250mW 100mA 50V 1uA SOT-23 Digital Transistors ROHS | | | 获取价格 |
| PDTA123JT,215 | Rubycon Corporation | One PNP - Pre-Biased 250mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors ROHS | | | 获取价格 |
| PDTC123ET,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
| PDTC114ET-QR | Rubycon Corporation | TRANS PREBIAS NPN/PNP | | | 获取价格 |
| BCX71J,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| 2N7002CK,215 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):300mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,500mA; | | | 获取价格 |
| BC857,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| PBRN113ZT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):600mA;集射极击穿电压(Vceo):40V; | | | 获取价格 |
| PDTC124TT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V; | | | 获取价格 |
| PDTD114ETR | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):460mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V; | | | 获取价格 |
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