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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
BCP68-25,115Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BCP53-16Rubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-;获取价格
CJ13-080001210B20Rubycon Corporation频率:8MHz;负载电容:12pF;获取价格
AD-CJ13-320001010D05Rubycon Corporation频率:32MHz;负载电容:10pF;获取价格
DSS36Rubycon Corporation获取价格
PBSS4240ZFRubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V;获取价格
BUK7212-55B,118Rubycon Corporation获取价格
CJ78L15-TARubycon Corporation获取价格
MPSA06Rubycon Corporation获取价格
PSMN3R7-100BSEJRubycon Corporation类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):405W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.95mΩ@25A,10V;获取价格
PSMN015-60BS,118Rubycon Corporation类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):86W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14.8mΩ@15A,10V;获取价格
CT314Q-800CRubycon Corporation获取价格
BT136SRubycon Corporation长电双向可控硅获取价格
PBSS8110X,135Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@250mA,10V;获取价格
2SD2098Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@4A,100mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
2SC2881Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):500mW;获取价格
BCX54,115Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;获取价格
BC868,115Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;获取价格
BSR43,115Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.35W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V;获取价格
PXTA42,115Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):1.3W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V;获取价格