| FR1205-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A; | | | 获取价格 |
| 15N10 TO252-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A; | | | 获取价格 |
| APM4015PUC-TRL-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IRFR9120NTRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):8.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,8.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| VBE1202 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,120A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| ZXMN10A07ZTA-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):102mΩ@10V,4.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| 2SJ356-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,6.5A; | | | 获取价格 |
| 2SK3065-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7.1A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):76mΩ@10V,7.1A; | | | 获取价格 |
| RJP020N06T100-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7.1A;功率(Pd):6.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):76mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):810pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| CEM4435A-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL | | | 获取价格 |
| SUD50N06-09L-E3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:50A TO-252 | | | 获取价格 |
| ME2301-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:20V 电流:4A SOT-23 | | | 获取价格 |
| AO4470-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N-沟道 SO-8 | | | 获取价格 |
| 5LN01C-TB-E-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N-沟道 SOT-23 | | | 获取价格 |
| SPD06N80C3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:800V 电流:7A TO-252 | | | 获取价格 |
| BUK765R2-40B-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:40V 电流:100A TO-263 | | | 获取价格 |
| SI4925BDY-T1-E3&19-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs 2个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A SO-8 | | | 获取价格 |
| IRFR48ZTRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:50A TO-252 | | | 获取价格 |
| NDS8435A-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:9A SOP-8 | | | 获取价格 |
| FDS4435BZ-NL-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:9A SO-8 | | | 获取价格 |
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