SUD50P06-15L-GE3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
IRFR5305TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
IRF7103TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs 2个N沟道 耐压:60V 电流:7A SO-8 | | | 获取价格 |
FDN5630-NL-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23 | | | 获取价格 |
SM2307PSAC-TRG-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:30V SOT-23 | | | 获取价格 |
ME4626A-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:30V 电流:18A SO-8 | | | 获取价格 |
IRLMS5703TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:4.8A TSOP-6 | | | 获取价格 |
IRF9310TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=8mΩ@4.5V SOIC8_150MIL | | | 获取价格 |
SI7483ADP-T1-GE3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:120A DFN8_5X6MM_EP | | | 获取价格 |
K3148-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:100V 电流:50A TO-220F-3 | | | 获取价格 |
FDD13AN06A0-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:60A TO-252 | | | 获取价格 |
FDS4935BZ-NL&38-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs 2个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A SO-8 | | | 获取价格 |
SI4866DY-T1-E3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 耐压:30V 电流:18A SOP-8 | | | 获取价格 |
IRFTS9342TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:30V SOT23-6 | | | 获取价格 |
SI3457DV-T1-E3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:30V SOT23-6 | | | 获取价格 |
FDS4435A-NL-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:9A SO-8 | | | 获取价格 |
AO4800-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 双N-通道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SO-8 | | | 获取价格 |
NCE1540K-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 150V 15A TO252 | | | 获取价格 |
PMR280UN-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs N沟道 20V 1A SC75-3 | | | 获取价格 |
AO7800 | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363 | | | 获取价格 |