MPSA42

汕头华汕电子器件有限公司 A1 █ 主要用途 高压控制应用。 （与 HA92 互补） NPN SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 MPSA42 HA42 █ 外形图及引脚排列 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率……………………………625mW VCBO——集电极—基极电压………………………………30 0V VCEO—— 集 电极—发射 极电压…… …………… …………300V V E B O ——发 射极—基极电压……………………………… 6V I C — — 集 电 极电流 …… ……… …… ……… …… ……… 500 mA TO-92 1―发射极，E 2―基 极，B 3―集电极，C █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO ICES HFE 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极—发射极截止电流 直流电流增益 300 300 6 100 100 1 25 40 40 0.5 1.0 0.9 50 V V V nA nA μA IC=100μA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=100μA，IC=0 VCB=200V, IE=0 VEB=6V, IC=0 VCE=300V, VBE=0 VCE=10V, IC=1mA VCE=10V, IC=10mA VCE=10V, IC=30mA IC=20mA, IB=2mA IC=60mA, IB=6mA IC=20mA， IB=2mA VCE=20V, IC=10mA ， f=100MHz VCE(sat1) VCE(sat2) VBE(sat) fT 集电极—发射极饱和电压 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 特征频率 V V V MHz