BSM50GB120DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms Tvj= 25° C TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 50 115 100 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 460 W VGES +/- 20V V IF 50 A IFRM 100 A VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C It 2 430 As 2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 50A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 50A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 2mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 2,9 6,5 V V V VGE = -15V...+15V QG - 0,53 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 3,3 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cres - 0,21 - nF VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C ICES - - 5 mA VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA prepared by: MOD-D2, Mark Münzer approved by: SM TM; Wilhelm Rusche date of publication: 2003-01-10 revision: 3.0 1(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 50A, V CE = 600V VGE = ±15V, R G = 15Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, R G = 15 Ω , Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 50A, V CE = 600V VGE = ±15V, R G = 15Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, R G = 15 Ω , Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 50A, V CE = 600V VGE = ±15V, R G = 15Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, R G = 15 Ω , Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 50A, V CE = 600V VGE = ±15V, R G = 15Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, R G = 15 Ω , Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip TC=25°C IC = 50A, V CE = 600V, V GE = ±15V RG = 15Ω , Tvj = 125°C, Lσ = 120nH IC = 50A, V CE = 600V, V GE = 15V RG = 15Ω , Tvj = 125°C, Lσ = 120nH tP ≤ 10µs, V GE ≤ 15V, R G = 15 Ω TVj≤125°C, V CC=900V, V CEmax=VCES -LσCE ·di/dt ISC LσCE 400 40 A nH Eoff 6,2 mJ Eon 6,4 mJ tf 0,03 0,07 µs µs td,off 0,25 0,30 µs µs tr 0,05 0,05 µs µs td,on 0,05 0,06 µs µs min. typ. max. RCC‘+EE‘ - 1,0 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 50A, V GE = 0V, Tvj = 25°C IF = 50A, V GE = 0V, Tvj = 125°C IF = 50A, - di F/dt = 1300A/µs VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 50A, - di F/dt = 1300A/µs VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 50A, - di F/dt = 1300A/µs VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125°C Erec 1,9 4 mJ mJ Qr 5,1 10,7 µC µC IRM 52 66 A A VF min. - typ. 1,8 1,7 max. 2,3 2,2 V V 2(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module λΠαστε = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K RthCK RthJC - typ. 0,05 max. 0,27 0,60 K/W K/W K/W Tvj max - - 150 °C Tvj op -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight Schraube / screw M6 M 3,0 Al2O3 20 mm 11 mm 275 - 6,0 Nm Anschlüsse / terminals M5 M 2,5 - 5,0 Nm G 250 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) V GE = 15V 100 90 80 70 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IC [A] 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 100 90 80 70 VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V VGE = 7V IC = f (VCE) T vj = 125°C IC [A] 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 100 90 80 70 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IC [A] 60 50 40 30 20 10 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 100 90 80 70 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IF = f (VF) IF [A] 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE=±15V, RG=15 Ω , VCE = 600V, T vj = 125°C 18 16 14 12 E [mJ] 10 8 6 4 2 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Eoff Eon Erec IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 28 24 20 16 12 8 4 0 0 20 40 60 Eoff Eon Erec Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=±15V , I C = 50A , VCE = 600V , T vj = 125°C E [mJ] 80 100 120 140 RG [Ω] 6(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 1 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] i ri [K/kW] : IGBT τi [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [s] : Diode 1 52,7 0,009 35,54 0,003 2 177,41 0,045 261,69 0,022 3 14,08 0,073 232,72 0,064 4 25,81 0,229 70,05 0,344 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 120 VGE =±15V, R G = 15 Ω , T vj= 125°C 100 80 IC [A] IC,Modul 60 IC,Chip 40 20 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC 8(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 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