F3L200R12N2H3B47BPSA1

F3L200R12N2H3_B47 EconoPACK™2Modulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundNTC EconoPACK™2modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandNTC VCES = 1200V IC nom = 150A / ICRM = 300A PotentielleAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • 3-level-applications • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • HighspeedIGBTH3 • Lowswitchinglosses • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit • Lötverbindungstechnik • RoHSkonform MechanicalFeatures • 2.5kVAC1mininsulation • Soldercontacttechnology • RoHScompliant ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  1200  V ICN  200  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C ICDC  150  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 2,10 2,20 2,15 V V V 5,80 6,35 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 150 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 350 V QG 1,60 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 3,8 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 11,5 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,63 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 350 V VGE = -15 / 15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 350 V VGE = -15 / 15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 350 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 350 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 350 V, Lσ = 35 nH di/dt = 2900 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 350 V, Lσ = 35 nH du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 2,4 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,19 0,20 0,20 µs µs µs 0,044 0,052 0,053 µs µs µs 0,31 0,39 0,40 µs µs µs 0,04 0,10 0,12 µs µs µs Eon 3,00 4,90 5,30 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 4,55 6,95 7,70 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 720 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,25 2 0,162 K/W 0,111 -40 K/W 150 °C V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  1200  V IF  100  A IFRM  200  A I²t  1950 1850  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,15 VF 1,75 1,70 1,70 IF = 100 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 350 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 102 123 128 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 100 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 350 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 7,50 13,6 15,5 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 100 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 350 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 2,00 3,80 4,35 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 100 A, VGE = 0 V IF = 100 A, VGE = 0 V IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 3 V V V 0,491 K/W 0,146 -40 K/W 150 °C V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 IGBT,3-Level/IGBT,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  650  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 50°C, Tvj max = 175°C ICDC  150  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  300  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V 5,80 6,45 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 150 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V QG 1,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 9,30 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,285 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 350 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 350 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 350 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 350 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 350 V, Lσ = 35 nH di/dt = 2800 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 350 V, Lσ = 35 nH du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,3 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,08 0,10 0,10 µs µs µs 0,051 0,057 0,062 µs µs µs 0,29 0,32 0,34 µs µs µs 0,07 0,12 0,14 µs µs µs Eon 7,20 9,45 10,0 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 4,50 6,40 7,00 mJ mJ mJ tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C ISC 750 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,05 4 0,349 K/W 0,138 -40 K/W 150 °C V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 Diode,3-Level/Diode,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  650  V IF  150  A IFRM  300  A I²t  1700 1650  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,15 VF 1,65 1,55 1,50 IF = 150 A, - diF/dt = 2900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 350 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 69,0 89,0 95,0 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 150 A, - diF/dt = 2900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 350 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 4,40 8,10 9,50 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 150 A, - diF/dt = 2900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 350 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 1,15 1,90 2,20 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 0,645 K/W 0,154 -40 K/W 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 5 V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  7,5  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Schraube-Montagegem.gültigerApplikationsschrift Screw-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Gewicht Weight Datasheet typ. max. LsCE 17 nH RCC'+EE' 2,50 mΩ Tstg -40 125 °C M 3,00 6,00 Nm G 6  > 200 min. 180 g V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 300 300 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 250 250 225 225 200 200 175 175 150 150 125 125 100 100 75 75 50 50 25 25 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 275 IC [A] IC [A] 275 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=350V 300 22 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 275 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 20 250 18 225 16 200 14 12 E [mJ] IC [A] 175 150 10 125 8 100 6 75 50 4 25 2 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 7 0 50 100 150 IC [A] 200 250 300 V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=350V SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=350V,Tvj=150°C 22 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 20 tdon tr tdoff tf 18 16 1 12 t [µs] E [mJ] 14 10 8 0,1 6 4 2 0 0 5 10 15 20 0,01 25 0 50 100 RG [Ω] SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=350V,Tvj=150°C 150 IC [A] 200 250 300 TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 10 1 tdon tr tdoff tf ZthJC : IGBT 0,1 t [µs] ZthJC [K/W] 1 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0156 0,0347 0,0957 0,016 τi[s]: 0,000679 0,0207 0,0601 1,54 0,01 0 5 10 15 20 25 0,001 0,001 RG [Ω] Datasheet 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=150°C 450 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=150A,Tvj=25°C 15 IC, Modul IC, Chip VCC = 350V 12 400 9 350 6 300 3 IC [A] VGE [V] 250 200 0 -3 150 -6 100 -9 50 0 -12 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 -15 1400 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 QG [µC] 1,2 1,4 1,6 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=3.3Ω,VCE=350V 200 8 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 7 160 6 140 5 E [mJ] IF [A] 120 100 4 80 3 60 2 40 1 20 0 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] Datasheet 9 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 IF [A] V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=100A,VCE=350V TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 8 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJC : Diode 7 6 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 5 4 3 0,1 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,036 0,136 0,281 0,038 τi[s]: 0,00072 0,0167 0,0596 1,17 1 0 0 5 10 15 20 RG [Ω] 25 30 0,01 0,001 35 AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 1 10 300 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 275 250 250 225 225 200 200 175 175 150 150 125 125 100 100 75 75 50 50 25 25 0,0 Datasheet 0,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 275 IC [A] IC [A] 0,1 t [s] AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 300 0 0,01 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 10 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=350V 300 45 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 275 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 40 250 35 225 200 30 E [mJ] IC [A] 175 150 125 100 25 20 15 75 10 50 5 25 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=350V 0 50 100 150 IC [A] 200 250 300 TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level transientthermalimpedanceIGBT,3-Level ZthJC=f(t) 45 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 40 ZthJC : IGBT 35 1 25 ZthJC [K/W] E [mJ] 30 20 15 0,1 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0231 0,0782 0,218 0,0297 τi[s]: 0,00072 0,0167 0,0596 1,17 5 0 0 Datasheet 5 10 15 20 RG [Ω] 25 30 35 0,01 0,001 11 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch) switchingtimesIGBT,3-Level(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=350V,Tvj=150°C SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,3-Level(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,3-Level(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3.3Ω,Tvj=150°C 10 360 tdon tr tdoff tf IC, Modul IC, Chip 330 300 270 1 240 IC [A] t [µs] 210 180 150 0,1 120 90 60 30 0,01 0 50 100 150 IC [A] 200 250 0 300 SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch) switchingtimesIGBT,3-Level(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=350V,Tvj=150°C 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 GateladungsCharakteristikIGBT,3-Level(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,3-Level(typical) VGE=f(QG) IC=150A,Tvj=25°C 10 15 tdon tr tdoff tf VCC = 350 V 12 9 6 1 t [µs] VGE [V] 3 0 -3 0,1 -6 -9 -12 0,01 0 Datasheet 5 10 15 20 RG [Ω] 25 30 35 -15 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 QG [µC] 12 V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(IF) RGon=2.4Ω,VCE=350V 300 4,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 275 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 3,5 250 225 3,0 200 2,5 E [mJ] IF [A] 175 150 2,0 125 1,5 100 75 1,0 50 0,5 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0,0 2,5 0 50 100 VF [V] SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(RG) IF=150A,VCE=350V 150 IF [A] 200 250 300 TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level transientthermalimpedanceDiode,3-Level ZthJC=f(t) 4,0 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJC : Diode 3,5 3,0 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 2,5 2,0 1,5 0,1 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0575 0,226 0,321 0,0405 τi[s]: 0,00072 0,0167 0,0596 1,17 0,5 0,0 0 5 10 15 20 25 0,01 0,001 RG [Ω] Datasheet 13 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 14 V3.0 2018-06-29 F3L200R12N2H3_B47 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 15 V3.0 2018-06-29 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2018-06-29 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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