F43L50R07W2H3FB11BPSA2

F4-3L50R07W2H3F_B11 EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppHigh-Speed3IGBTundSiCDiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopHigh-Speed3IGBTandSiCdiodeandPressFIT/NTC J VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme TypicalApplications • 3-level-applications • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5 • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5 • HighspeedIGBTH3 • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • 3kVAC1minIsolationsfestigkeit • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • 3kVAC1mininsulation • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Compactdesign • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  650  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  50  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  100  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,80 V V V 5,80 6,50 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 16 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 16 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 16 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 16 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1100 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 16 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,00 0,037 0,037 0,037 µs µs µs 0,042 0,044 0,047 µs µs µs 0,255 0,28 0,28 µs µs µs 0,058 0,064 0,066 µs µs µs Eon 0,96 1,20 1,25 mJ mJ mJ IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 16 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,20 1,60 1,70 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 330 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 1,40 K/W tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C tr td off tf RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on Tvj op 2 -40 150 °C V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  650  V IF  30  A IFRM  60  A I²t  90,0 82,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,00 VF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 20,0 26,0 28,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,20 2,10 2,50 µC µC µC IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,22 0,45 0,53 mJ mJ mJ RthJH 2,60 K/W IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet A²s A²s 1,60 1,55 1,50 Durchlassspannung Forwardvoltage Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink  Tvj op 3 -40 150 V V V °C V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 IGBT,3-Level/IGBT,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  650  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  30  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  60  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,55 1,80 1,85 1,95 V V V 5,80 6,50 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 830 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 20 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,00 0,03 0,03 0,031 µs µs µs 0,035 0,036 0,05 µs µs µs 0,175 0,19 0,20 µs µs µs 0,019 0,038 0,043 µs µs µs Eon 0,38 0,42 0,42 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 5400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 20 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,42 0,64 0,71 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 160 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 2,15 K/W tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C tr td off tf RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on Tvj op 4 -40 150 °C V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 Diode,3-Level/Diode,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  650  V IF  10  A IFRM  20  A I²t  4,50  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,85 VF 1,45 1,60 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 6,30 6,80 6,90 A A A IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,22 0,37 0,40 µC µC µC IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,01 0,01 0,01 mJ mJ mJ RthJH 3,92 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = 15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 V V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 5 V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm  > 200  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  kV 3,0 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G typ. max. 45 39 nH 125 °C 80 N g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin Datasheet 6 V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 100 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 80 80 70 70 60 60 IC [A] IC [A] 90 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,4 0,8 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 1,2 1,6 VCE [V] 2,0 2,4 0 2,8 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 1,0 2,0 VCE [V] 3,0 4,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=16Ω,RGoff=16Ω,VCE=300V 100 4 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 80 3 70 E [mJ] IC [A] 60 50 2 40 30 1 20 10 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 7 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 80 90 100 V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=300V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 10 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 9 ZthJH : IGBT 8 7 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 6 5 4 0,1 3 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0275 0,133 0,2766 0,9627 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 0 20 40 60 80 100 RG [Ω] 120 140 0,01 0,001 160 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 0,01 0,1 t [s] 1 10 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=16Ω,VCE=300V 60 0,8 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 50 0,6 E [mJ] IF [A] 40 30 0,4 20 0,2 10 0 0,0 Datasheet 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 0,0 8 0 10 20 30 IF [A] 40 50 60 V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=300V TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0,7 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 0,6 0,5 E [mJ] ZthJH [K/W] 0,4 0,3 1 0,2 0,1 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1999 0,4286 0,8282 1,1437 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 20 40 60 80 100 RG [Ω] 120 140 0,1 0,001 160 AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 0,01 10 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 50 40 40 IC [A] IC [A] 1 AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 30 20 10 10 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 30 20 0 0,1 t [s] 0 3,0 9 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=300V 60 1,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 50 1,0 E [mJ] IC [A] 40 30 20 0,5 10 0 5 6 7 8 9 10 0,0 11 0 10 20 VGE [V] SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V 30 IC [A] 40 50 60 TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level transientthermalimpedanceIGBT,3-Level ZthJH=f(t) 6 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C ZthJH : IGBT 5 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 4 3 0,1 2 0,01 1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0423 0,2043 0,4249 1,4785 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 0 Datasheet 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] 0,001 0,001 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(IF) RGon=20Ω,VCE=300V 20 0,015 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 18 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 16 14 0,010 E [mJ] IF [A] 12 10 8 0,005 6 4 2 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0,000 0 2 4 VF [V] SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(RG) IF=8A,VCE=300V 6 8 IF [A] 10 12 14 16 TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level transientthermalimpedanceDiode,3-Level ZthJH=f(t) 0,015 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode E [mJ] ZthJH [K/W] 0,010 1 0,005 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,5571 0,8925 1,594 0,8764 τi[s]: 0,0008097 0,007084 0,05044 0,2351 0,000 0 Datasheet 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] 0,1 0,001 11 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 12 V3.1 2017-03-31 F4-3L50R07W2H3F_B11 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 13 V3.1 2017-03-31 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-03-31 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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