TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KF2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
VCES
3300
3300
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
1200
2000
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
2400
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Ptot
14,5
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A
A
typ.
max.
3,40
4,30
4,25
5,00
V
V
4,2
5,1
6,0
V
QG
22,0
µC
Tvj = 25°C
RGint
0,42
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
150
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
8,00
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
0,15
12
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 1200 A, VGE = 15 V
IC = 1200 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 120 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGEth
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,91 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,28
0,28
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,91 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,18
0,20
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,2 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
1,55
1,70
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,2 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,20
0,20
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 1800 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGon = 0,91 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
1400
2200
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 1800 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 1,2 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
1300
1550
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
6,00
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MW
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
6000
A
8,50 K/kW
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KF2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
VRRM
3300
3300
V
IF
1200
A
IFRM
2400
A
I²t
500
kA²s
Tvj = 125°C
PRQM
2400
kW
ton min
10,0
µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
2,80
2,80
3,50
3,50
V
V
1700
2000
A
A
Qr
710
1300
µC
µC
IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
735
1550
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
12,0
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MW
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
2
17,0 K/kW
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KF2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
VISOL
6,0
kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD ≥ 10 pC (acc. to IEC 1287)
VISOL
2,6
kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D
1800
V
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
min.
typ.
RthCH
4,00
LsCE
10
nH
RCC'+EE'
0,12
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
4,25
-
5,75
Nm
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
1,8
-
2,1
Nm
M
8,0
-
10
Nm
Gewicht
Weight
G
1500
g
preparedby:MW
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
3
max.
K/kW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ1200R33KF2C
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
2400
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1600
1600
IC [A]
2000
IC [A]
2000
1200
1200
800
800
400
400
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.91Ω,RGoff=1.2Ω,VCE=1800V,CGE=220
nF
8000
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
7000
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2000
6000
1600
IC [A]
E [mJ]
5000
1200
4000
3000
800
2000
400
1000
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:MW
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
4
0
300
600
900
1200 1500 1800 2100 2400
IC [A]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ1200R33KF2C
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1200A,VCE=1800V,CGE=220nF
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
10000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
8000
10
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
6000
4000
1
2000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,825 2,125 0,51 2,04
τi[s]:
0,03 0,1
0,3 1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
RG [Ω]
8
9
0,1
0,001
10 11 12
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.2Ω,Tvj=125°C,CGE=220nF
3000
IC, Modul
IC, Chip
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2000
2400
1600
IF [A]
IC [A]
1800
1200
1200
800
600
0
400
0
500
1000
1500 2000
VCE [V]
2500
3000
0
3500
preparedby:MW
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ1200R33KF2C
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.91Ω,VCE=1800V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=1800V
2500
2500
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
1500
1500
E [mJ]
2000
E [mJ]
2000
1000
1000
500
500
0
0
300
600
900
0
1200 1500 1800 2100 2400
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
1
2
3
4
5
6
7
RG [Ω]
8
9
10 11 12
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125°C
100
3000
ZthJC : Diode
IR, Modul
2400
10
IR [A]
ZthJC [K/kW]
1800
1200
1
600
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 7,65 4,25 1,02 4,08
τi[s]:
0,03 0,1 0,3 1
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
preparedby:MW
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
6
0
500
1000
1500 2000
VR [V]
2500
3000
3500
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KF2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:MW
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KF2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MW
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:DTS
revision:2.1
8