FAN7382M1X

DATA SHEET www.onsemi.cn  FAN7382 SOIC8 CASE 751EG FAN7382   片 高     栅 极 驱  IC, 用 来 驱  电  高 达 +600 V 的 MOSFET  IGBT 。 森 美 高  艺   模   消 除 技 术   高 端 驱    高 dv/dt   环  稳运行。进的电转换电路许高驱的 置电达VS = −9.8 V (), 当VBS = 15 V 时.输 逻 辑 电  标 ! TTL 系 " 逻 辑 栅 极 # $ 。 % & 通 道 的 欠  闭 锁 锁  电 路  V CC 或 V BS  ' 指  阙  电  时, 防 止(现故障。输(驱通)提*350 mA/650 mA 的源电流/ 灌电流, 适+萤,灯镇流、PDP 扫描驱电机控0等。 SOIC14 N CASE 751ER MARKING DIAGRAMS  • • • • • • • • • • SOIC8 浮通道1高达 +600 V 的自2运行而设计 %&通道的源/ 灌电流驱能4 350 mA/650 mA 模 dv/dt 消除电路 VCC = VBS = 15 V 时567输过程8, 扩9许负VS 摆: 达 −9.8 V VCC  VBS *电范;< 10 V 至 20 V =通道的欠锁>能 #$TTL 的输逻辑阙电 ?配7输@迟' 50 ns 输(56 输56A相B These are Pb−Free Devices 7382 ALYW 7382 A L YW = Device Code = Assembly Site = Wafer Lot Number = Assembly Start Week SOIC14 N  • PDP 扫描驱 • 荧,灯镇流 • SMPS • 电机驱 7382M1 &E&Z&3&K 7382M1 &E &Z &3 &K = Device Code = Designates Space = Assembly Location = 3−Digit Date Code = 2−Digits Lot Run Traceability Code ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information on page 12 of this data sheet. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2005 February, 2022 − Rev. 2 1 Publication Order Number: FAN7382CN/D FAN7382   600 V 15 V RBOOT DBOOT 1 V CC VB 8 HIN 2 HIN HO 7 LIN 3 LIN VS 6 4 COM LO 5 Q1 R1 CBOOT C1 R2 Q2 R3 Load R4 1.     2 HS(ON/OFF) 500 K PULSE GENERATOR HIN RR S Q DRIVER UVLO UVLO DELAY 3 DRIVER LS(ON/OFF) LIN 8 VB 7 HO 6 VS 1 VCC 5 LO 4 COM 500 K 2.  www.onsemi.cn 2 FAN7382   FAN7382MX FAN7382M1X VCC 1 8 VB VCC 1 14 NC HIN 2 7 HO HIN 2 13 VB LIN 3 6 VS LIN 3 12 HO COM 4 5 LO NC 4 11 VS NC 5 10 NC COM 6 9 NC LO 7 8 NC 3.  （ ）     VCC  HIN     LIN     COM    LO   VS  HO    VB  www.onsemi.cn 3 FAN7382        VS VB − 25 VB + 0.3 V  VB −0.3 625   HO VHO VS − 0.3 VB + 0.3    VCC −0.3 25   LO VLO −0.3 VCC + 0.3 VIN −0.3 VCC + 0.3  COM VCC − 25 VCC + 0.3  dVS/dt   (HIN、LIN) PD ( 1, 2, 3)    50 V/ns SOIC8 0.625 W SOIC14 N 1.0 TJ 150 °C TSTG 150 °C Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. ()  !"#$%，'(。 !!")#*，+,-$.'，'/0(，1% 2。 1. 34& 76.2 x 114.3 x 1.6 mm PCB 5 (FR−4 6789:;)。 2. ()?@ABC-6+D- EFGH JESD51−3: ,I$JK4L4MN/@OPAB5 3. /!"Q0)，R4S ! PD。   T6+@U     qJA SOIC8 200 °C/W SOIC14 N 110     VB VS + 10 VS + 20 V  !"  VS 6 − VCC 600 V  (HO)  VHO VS VB V  (LO)  VLO COM VCC V   (HIN, LIN) VIN COM VCC V  VCC 10 20 V TA −40 125 °C  6+ Functional operation above the stresses listed in the Recommended Operating Ranges is not implied. Extended exposure to stresses beyond the Recommended Operating Ranges limits may affect device reliability. () 5VWX6%$YZ[，4$.'7\]^_。`[a/VWX6%$Yb%(8)^_，'1% 2。 www.onsemi.cn 4 FAN7382  cd9M，VBIAS (VCC, VBS) = 15.0 V, TA = 25°C。VIN IIN P( COM :e。VO IO P( VS COM :e，fg5hi  HO LO。       VCC VBS j\;k VCCUV+ VBSUV+ 8.2 9.2 10.0 V VCC VBS jl;k VCCUV− VBSUV− 7.6 8.7 9.6 V VCC jmno VCCUVH VBSUVH  # pH VB = VS = 600 V ILK VBS qrH VIN = 0 V s 5 V IQBS VCC qrH VIN = 0 V s 5 V IQCC VBS X6H fIN = 20 kHz, rms  VCC X6H fIN = 20 kHz, rms  0.6 V 50 mA 45 120 mA 70 180 mA IPBS 600 mA IPCC 600 mA  “1”  VIH  “0”  VIL 0.8 V VOH 1.0 V VOL 0.6 V mA t , VBIAS − VO IO = 20 mA t , VO 2.9 V  “1” H VIN = 5 V IIN+ 10 20  “0” H VIN = 0 V IIN− 1.0 2.0 tu?v