RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZP 　　Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline RDS(on)(Max.) 70mΩ ID ±2.5A PD 0.7W 　 　 　 　 　 　 WEMT6 　 　 or -20V 　 e N co ew m m D es en ig de ns d f VDSS 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (WEMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. l Packaging specifications Packing l Application Switching Type Reel size (mm) Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking Embossed Tape 180 8 8000 T2CR ZK R l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol VDSS ID ID,pulse*1 VGSS PD*2 Tj Tstg N ot Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature Value Unit -20 ±2.5 ±10 ±10 0.7 150 -55 to +150 V A A V W ℃ ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20140707 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 　　　　　　　　 Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Thermal resistance Parameter Symbol RthJA*2 Thermal resistance, junction - ambient Values Min. Typ. Max. - 179 - l Electrical characteristics (T a = 25°C) Symbol Conditions Values Min. Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ ℃/W Unit Typ. Max. -20 - - V - -21.9 - mV/℃ e N co ew m m D es en ig de ns d f Parameter Unit or RW1C026ZP Zero gate voltage drain current IDSS VDS = -20V, VGS = 0V - - -1 μA Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±10V, VDS = 0V - - ±10 μA VGS(th) VDS = -10V, ID = -1mA -0.3 - -1 V - 2.4 - mV/℃ VGS = -4.5V, ID = -2.5A - 50 70 VGS = -2.5V, ID = -1.2A - 65 90 VGS = -1.8V, ID = -1.2A - 85 130 VGS = -1.5V, ID = -0.5A - 100 200 VDS = -10V, ID = -2.5A 2.2 - - Gate threshold voltage Gate threshold voltage temperature coefficient 　ΔVGS(th) 　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Static drain - source on - state resistance gfs*3 mΩ S R Transconductance RDS(on)*3 ot *1 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1% *2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD N *3 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Ciss VGS = 0V - 1250 - Output capacitance Coss VDS = -10V - 100 - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - VDD ⋍ -10V,VGS = -4.5V - tr*3 ID = -1.2A td(off)*3 tf*3 Rise time Turn - off delay time Fall time td(on)*3 30 - 170 - - 290 - RL = 8.3Ω - 2550 - RG = 10Ω - 850 - e N co ew m m D es en ig de ns d f Turn - on delay time pF or Input capacitance ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Total gate charge Qg*3 Gate - Source charge Qgs*3 Gate - Drain charge Qgd*3 Conditions VDD ⋍ -10V, ID = -2.5A VGS = -4.5V Min. Typ. Max. - 10 - - 2.1 - - 2.0 - Unit nC R l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) ot Parameter N Body diode continuous forward current Values Symbol Conditions IS Min. Typ. Max. - - -0.5 Ta = 25℃ Body diode pulse current ISP*1 Forward voltage VSD*3 VGS = 0V, IS = -2.5A Unit A - - -10 - - -1.2 V 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.2 Maximum Safe Operating Area e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　 　　　　dissipation N ot R Fig.3 Normalized Transient Thermal 　 　　　　　　　Resistance vs. Pulse Width 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.6 Typical Output Characteristics(II) e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.8 Typical Transfer Characteristics N ot R Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction 　Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.10 Tranceconductance 　vs. Drain Current e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction 　Temperature Fig.12 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage N ot R Fig.11 Drain Current Derating Curve 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.14 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(I) e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.13 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(III) N ot R Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(II) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.18 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(Ⅴ) e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.17 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(Ⅳ) Fig.20 Switching Characteristics N ot R Fig.19 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.22 Source Current vs. Source Drain 　Voltage N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.21 Dynamic Input Characteristics 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-2 Switching Waveforms e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform N ot R Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20140707 - Rev.001 　　　　　　 RW1C026ZP 　　　　　　　　 Datasheet N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/11 20140707 - Rev.001 N R e N co ew m m D es en ig de ns d f ot or