UMW 4N65F

UMW R UMW 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 Tc=25 Tc=25°°C） ●最大额定值（Tc=25 Tc=25 Absolute Maximum Ratings Tc=25°°C） Ratings（Tc=25 ●Absolute 参数 PARAMETER 漏-源电压 Drain-source Voltage 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current －Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation 最高结温 Junction Temperature 存储温度 Storage Temperature 单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche Energy ② TO-220/220F 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 单位 UNIT VDS 650 V VGS ±30 V ID 4.0 A ID 2.5 A IDM 16 A Ptot TO-220:100 TO-220F:33 W Tj 150 °C TSTG -55-150 °C EAS 128 mJ 50V VDS=6 =65 8Ω =2.8 RDS(ON)=2. ID=4.0A ° Tc=25 C） ●电特性（Tc=25 Tc=25 Electronic Characteristics Tc=25°°C） Characteristics（Tc=25 ●Electronic 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 最小值 MIN 漏-源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V, ID=250µA 650 击穿电压温度系数 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/ ΔTj ID=250uA, Referenced to 25°C 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA 漏-源漏电流 Drain-source Leakage Current IDSS 跨导 Forward Transconductance gfs www.umw-ic.com 典型值 TYP 最大值 MAX 单位 UNIT V 0.6 4.0 V VDS =650V, VGS =0V, Tj=25°C 25 µA VDS =520V, VGS =0V, Tj=125°C 250 µA VDS =40V, ID=2.0A ③ 1 2.0 V/°C 2.5 S 友台半导体有限公司 UMW R UMW 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 栅极漏电流 Gate-body Leakage Current (VDS = 0) IGSS VGS =±30V 漏-源导通电阻 Static Drain-source On Resistance RDS(ON) VGS =10V, ID=2.0A ③ 2.5 输入电容 Input Capacitance Ciss VGS = 0V, VDS = 25V F = 1.0MHZ 500 pF 关断延迟 Turn -Off Delay Time Td(off) VDD=325V, ID =4.0A RG=25Ω ③ 40 ns 栅极电荷 Total Gate Charge Qg 15.8 nC 3.5 nC 6.0 nC 栅源电荷 Gate-to-Source Charge 栅漏电荷 Gate-to-Drain Charge 二极管正向电流 Continuous Diode Forward Current 二极管正向压降 Diode Forward Voltage 最小值 MIN ID =4.0A, VDS =520V VGS = 10V ③ Qgs Qgd 典型值 TYP IS Tj=25°C, Is=4.0A VGS =0V ③ VSD 反向恢复时间 Reverse Recovery Time trr 反向恢复电荷 Reverse Recovery Charge Qrr Tj=25°C, If=4.0A di/dt=100A/μs ③ 最大值 MAX 单位 UNIT ±100 nA 2.8 Ω 4.0 A 1.4 V 390 ns 1.5 uC ●热特性 Thermal Characteristics ●Thermal 参数 PARAMETER TO-220 最大值 MAX TO-220F 单位 UNIT RthJC 1.25 3.79 ℃/W RthJA 62.5 62.5 ℃/W 符号 SYMBOL 热阻结-壳 Thermal Resistance Junction-case 热阻结-环境 Thermal Resistance Junction-ambient Notes)): 注释((Notes ① 脉冲宽度：以最高结温为限制 Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature ② 初始结温=25oC, VDD =50V, L=25mH, RG =25Ω, IAS=4.0A Starting Tj=25oC, VDD =50V, L=25mH, RG =25Ω, IAS=4.0A ③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％ Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% www.umw-ic.com 2 友台半导体有限公司 UMW R UMW 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 ● 特性曲线 图 1 输出特性曲线, Tc=25℃ Fig1 Typical Output Characteristics, Tc=25℃ 图 3 导通电阻与温度曲线 Fig3 Normalized On-Resistance Vs.Temperature 图 2 输出特性曲线, Tc=150℃ Fig2 Typical Output Characteristics, Tc=150℃ 图 4 二极管正向电压曲线 Fig4 Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 图 5 最大漏极电流与壳温曲线 Fig5 Maximum Drain Current Vs.Case Temperature www.umw-ic.com 3 友台半导体有限公司 UMW R UMW 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 ● 特性曲线 图 6-1 4N65(TO-220) 最大安全工作区曲线 Fig6-1 Maximum Safe Operating Area www.umw-ic.com 图 6-2 4N65(TO-220F) 最大安全工作区曲线 Fig6-2 Maximum Safe Operating Area 4 友台半导体有限公司 UMW R UMW 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 220 封装 TOTO-220 符号 SYMBOL A 最小值 min 4.00 B 典型值 nom 单位：毫米/UNIT：mm 典型值 最大值 nom max 10.70 最大值 max 4.80 符号 SYMBOL E 1.20 1.50 e B1 1.00 1.40 F 1.10 1.45 b1 0.65 1.00 L 12.50 14.50 c 0.35 0.75 L1 3.00 D 15.00 16.50 Q 2.50 3.00 D1 5.90 6.90 Q1 2.00 3.00 φP 3.60 3.90 www.umw-ic.com 5 最小值 min 9.90 2.54 3.50 4.00 友台半导体有限公司 UMW R UMW 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 TO-220F 封装 符号 SYMBOL A 最小值 min 40 4. 4.4 A1 最大值 max 95 4. 4.9 符号 SYMBOL e 最小值 min 2.30 2.90 L 12.50 14.30 b 0.45 0.90 L1 9.10 10.05 b1 1.10 1.70 L2 15.00 16.00 c 0.35 0.90 L3 3.00 4.00 D 14.50 17.00 øp 3.00 3.50 D1 6.10 9.00 Q 2.30 2.80 E 9.60 10.30 www.umw-ic.com 典型值 nom mm 单位::毫米//UNIT UNIT：mm 典型值 最大值 nom max 2.54 6 友台半导体有限公司