| JCS640RH-O-R-N-A | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS3205CH-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS4N80RC | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| JCS4N65RC-DPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS4N65RC-DPAK | | | 获取价格 |
| JCS7N65FB-220MF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS7N65FB-220MF | | | 获取价格 |
| JCS4N65VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):122W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS2N60MFB-126F | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| 3DD4243DM-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4243DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4242DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS10N65ST-S-AR | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.61nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS2N60VB-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):43.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS3910R-DPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | N沟道 | | | 获取价格 |
| 3DD4244DM | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):5μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS2N60VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS2N60VC-IPAK | | | 获取价格 |
| JCS6N70FH TO-220MF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS6N70FH TO-220MF | | | 获取价格 |
| JCS110N07I | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):72nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.8nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS6N70VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| BU406-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@2A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS650C-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):158W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
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