| 27684C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 680 µH 无屏蔽 绕线 电感器 140 mA 8.5 欧姆最大 非标准 | | | 获取价格 |
| 234R7C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 4.7 µH 无屏蔽 绕线 电感器 1.48 A 68 毫欧最大 非标准 | | | 获取价格 |
| HCPL2530SD | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 通道数:2;隔离电压:2.5kV;输入类型:DC;共模瞬变抗扰度CMTI:10kV/us;数据速率:1Mbit/s;传播延迟tpLH/tpHL:1.5us,1.5us;电源电压:-;工作温度:-55℃~+100℃; | | | 获取价格 |
| HCPL0701 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | HCPL-0700、HCPL-0701、HCPL-0730 和 HCPL-0731 光耦合器包括一个与高增益分离达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED，采用紧凑型 8 引脚小外形封装。HCPL-0730 和 HCPL-0731 器件每个封装有两个沟道，可实现最佳安装密度。该分离达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS | | | 获取价格 |
| NCV1117STAT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:可调;输出极性:正;最大输入电压:20V;输出电压:1.25V~18.8V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):73dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| SBCP68T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@100mA,5V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NSS40300MZ4T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):175@1A,1V; | | | 获取价格 |
| PZT751T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):800mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,2V; | | | 获取价格 |
| NSV1C201MZ4T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCP56-16T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NZT902 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):90V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W; | | | 获取价格 |
| FQT4N20LTF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):850mA;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35Ω@10V,425mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | | | 获取价格 |
| FDB2572 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):4A；29A;功率(Pd):135W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):54mΩ@10V,9A; | | | 获取价格 |
| BCP53-16T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| NZT751 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,2V; | | | 获取价格 |
| PZTA56 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJ11016G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):30A;功率(Pd):200W;集电极截止电流(Icbo@Vcb):1mA;集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib):4V@30A,300mA;直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@5V,20A;特征频率(fT):4MHz;工作温度:-55℃~+200℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| FDB8832 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,80A; | | | 获取价格 |
| MJD340T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@50mA,10V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJD210T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@2A,1V; | | | 获取价格 |
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