| 1 | ATTINY1626-SF | AVR tinyAVR® 2 微控制器 IC 8 位 20MHz 16KB（16K x 8） 闪存 20-SOIC | 下载 | Microchip Technology Inc. |
| 2 | ATTINY826-SU | AVR tinyAVR® 2 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB（8K x 8） 闪存 20-SOIC | 下载 | Microchip Technology Inc. |
| 3 | ATTINY3226-SU | AVR tinyAVR® 2 微控制器 IC 8 位 20MHz 32KB（32K x 8） 闪存 20-SOIC | 下载 | Microchip Technology Inc. |
| 4 | AT24C128N | 接口类型:I2C;存储容量:128Kbit;时钟频率(fc):400kHz~1MHz; | 下载 | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. |
| 5 | AH3621 | 霍尔传感芯片 | 下载 | Nanjing AH Electronic Science & Technology Co., Ltd. |
| 6 | APG078N07 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):93W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,30... | 下载 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. |
| 7 | AP60N03F | | 下载 | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd |
| 8 | AP2045KD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@4.5V,30... | 下载 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. |
| 9 | ASDM60P12KQ-R | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):62mΩ@10V,14A; | 下载 | Ascend Frequency Devices |
| 10 | ASDM60N30KQ-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,15A;... | 下载 | Ascend Frequency Devices |
| 11 | ASDM40N80KQ-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,35... | 下载 | Ascend Frequency Devices |
| 12 | ASDM100N34KQ-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):34A;功率(Pd):63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,20A... | 下载 | Ascend Frequency Devices |
| 13 | AP85N04K | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):58W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A; | 下载 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. |
| 14 | AP90P01D | | 下载 | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd |
| 15 | AP5N20D-H | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@10V,2.5... | 下载 | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd |
| 16 | AP40P04D | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,30A; | 下载 | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd |
| 17 | AOD240-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):59A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,3... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 18 | AS0130KA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,10A... | 下载 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. |
| 19 | AP30H150KA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,30A... | 下载 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. |
| 20 | AD-DTC143XM | | 下载 | Rubycon Corporation |
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