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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1FBB05002-F30S1003K6MH22板到板连接器 0.5mm 立贴 30位 母座(有柱)(H1=2.2mm)下载TXGA
2FDT86113LZ-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,5A;阈值...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
3FP6151XR-G1功能类型:降压型;同步整流:否;输出通道数:1;拓扑结构:降压式;输入电压:4.5V~36V;输出电流(最大值):5A;开关频率:500kHz;下载AnalogySemi
4FP7209XR-G13功能类型:升压型;输出通道数:1;拓扑结构:升压式;输入电压:5V~24V;开关频率:150kHz;占空比(最大值):90%;工作温度:-40℃~+85℃@(Ta)...下载AnalogySemi
5FP6277XR-G1功能类型:升压型;同步整流:是;输出通道数:1;拓扑结构:升压式;输入电压:2.4V~4.5V;输出电压:5.3V;输出电流(最大值):-;开关频率:500kHz;下载AnalogySemi
6FP7183XR-G1下载AnalogySemi
7FP7103XR-LF28V,2A,320KHz下载AnalogySemi
8FP7208AXR-G124V下载AnalogySemi
9FD2H003BYR-G1低功率霍尔传感器下载AnalogySemi
10FR152GP-TPDIODE GPP FAST 1.5A DO-15下载Micro Commercial Components
11FR201GP-TPDIODE GPP GAST 2A DO-15下载Micro Commercial Components
12FR203GP-TPDIODE GPP GAST 2A DO-15下载Micro Commercial Components
13FR204二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(...下载Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.
14FQU5N60CTU类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):2.5W;49W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@1...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
15FDP027N08B-F102MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3下载ON Semiconductor
16FCPF600N60ZL1MOSFET N-CH 600MOHM TO220F ZENER下载ON Semiconductor
17FQP8P10类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@10V,4A;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
18FQP10N20C类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,4...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
19FDPF14N30类型:N沟道;漏源电压(Vdss):300V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
20FDP045N10A-F102类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):263W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.