1 | IP2368_BZ | 电池管理 QFN48_7X7MM_EP 4.5V~25V 7mA | 下载 | injoinic |
2 | IMC1210ER3R3J | 3.3 µH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 260 mA 1.2 欧姆最大 1210(3225 公制) | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
3 | IMC1812RQ102K | 1 mH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 30 mA 40 欧姆最大 1812(4532 公制) | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
4 | IMP1117AS18X--T | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:18V;输出电压:1.8V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):72dB@(120Hz); | 下载 | Electric Imp Inc. |
5 | IRF9Z34NS-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,35A;阈值... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
6 | IRFR3709Z | | 下载 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. |
7 | IRF640NSPBF-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):20A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,20A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
8 | IRFR014TRPBF-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):18.2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,18.2A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
9 | IRFR9024N | 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):8.8A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,5.3... | 下载 | JSMICRO SEMICONDUCTOR |
10 | IRFL014TRPBF-VB | | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
11 | IRFR3709ZTRRPBF-VB | | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
12 | iW3658-06F | | 下载 | Dialog Semiconductor lnc. |
13 | IRFR3708TRPBF-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,80A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
14 | IP3232AG | 电池管理 DFN10_3X3MM_EP | 下载 | injoinic |
15 | IXTM5N100A | POWER MOSFET TO-3 | 下载 | IXYS Integrated Circuits Division |
16 | IPB530N15N3 G | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Infineon Technologies |
17 | IPB80N06S2L-07 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,60... | 下载 | Infineon Technologies |
18 | IRLML2502 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3A;... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
19 | IRLML6401GTRPBF-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,5A;阈值电... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
20 | IL1117C-1.5 | | 下载 | IK Semicon Co., Ltd. |