1 | IRLMS6802TRPBF-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,4.8A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
2 | IRLL024ZTR-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,7A;阈值电压... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
3 | IRFB3207Z | | 下载 | Inchange Semiconductor Company Limited |
4 | IRF9530NPBF-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):167mΩ@10V,18A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
5 | IPA041N04N G | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Infineon Technologies |
6 | IPP90R340C3 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,9... | 下载 | Infineon Technologies |
7 | IRFR4620TRPBF-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,30A;阈... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
8 | IPD600N25N3 G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,25... | 下载 | Infineon Technologies |
9 | IPD80R2K4P7 | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Infineon Technologies |
10 | IP2112A | USB端口充电协议IC | 下载 | injoinic |
11 | IP2188_D_NP | | 下载 | injoinic |
12 | ICM7555ISA+T | 555 型,计时器/振荡器(单路) IC 500kHz 8-SOIC | 下载 | Analog Devices Inc. |
13 | ICL7662EBA+T | 充电泵 开关稳压器 IC 负 固定 -Vin 1 输出 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 下载 | Analog Devices Inc. |
14 | IT9868E--AW | 32位MCU微控制器 800MHz 32-bit ARM9 CPU1,400MHz 32-bit ARM9 CPU2,LQFP128_14X14MM | 下载 | ITE Tech. Inc. |
15 | IW1791-02 | | 下载 | Dialog Semiconductor lnc. |
16 | IHDM1008BCEV3R3M3A | 3.3 µH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 50 A 0.7 毫欧最大 非标准 | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
17 | IHLP4040DZER220M1A | 22 µH 屏蔽 电感器 5 A 66 毫欧最大 非标准 | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
18 | INA290EVM | - pval(183) 放大器评估板 | 下载 | Texas Instruments |
19 | INA1620EVM | INA1620 - 耳机,2-通道(立体声) Output AB 类 评估板 - 音频放大器 | 下载 | Texas Instruments |
20 | INA821IDRGT | 仪表 放大器 1 电路 8-SON(3x3) | 下载 | Texas Instruments |