| 1 | IM2132-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,5A;阈值电... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 2 | IRF5805TRPBF-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,4.8A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 3 | IP6503S-2.4A | | 下载 | injoinic |
| 4 | IQS127D-00200-TSR | 1 CH. CAPACITIVE TOUCH SENSOR WI | 下载 | Azoteq (Pty) Ltd |
| 5 | IPP040N08NF2S | | 下载 | Infineon Technologies |
| 6 | IPA029N06NM5S | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; | 下载 | Infineon Technologies |
| 7 | IPP040N06N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,90A;... | 下载 | Infineon Technologies |
| 8 | IW600-00-ST3 | | 下载 | Dialog Semiconductor lnc. |
| 9 | IRLR3110ZPBF-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):85A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,85A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 10 | IRFR5305TRPBF-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,50A;阈值... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 11 | IPD090N03L G | Mosfet, N Channel, 30V, 40A, To-252; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage ... | 下载 | Infineon Technologies |
| 12 | IKD06N60RA | | 下载 | Infineon Technologies |
| 13 | IPD60R800CE | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Infineon Technologies |
| 14 | IRF540NSTRPBF | MOSFETs N沟道 耐压:100V 电流:33A TO-263-2 | 下载 | JSMICRO SEMICONDUCTOR |
| 15 | IHLP7575GZER330M51 | 33 µH 屏蔽 模制 电感器 10.2 A 27 毫欧最大 非标准 | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 16 | IHLP1212AZEVR22M5A | 220 nH 屏蔽 模制 电感器 7.72 A 14.87 毫欧最大 非标准 | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 17 | IHDM1008BCEV2R2M3A | 2.2 µH 无屏蔽 鼓芯，绕线式 电感器 70 A 0.4 毫欧最大 非标准 | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 18 | IWAS4532AGEB140KF1 | 1 个线圈，1 层 14µH 无线充电线圈 接收器 355 毫欧最大 | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 19 | ISO1044DEVM | ISO1044 CANbus 接口 评估板 | 下载 | Texas Instruments |
| 20 | INA1651EVM | INA1651 接收器 音频 评估板 | 下载 | Texas Instruments |
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