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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1KSA708YTA晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
2KSD5041RTA晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
3KSC2383OTA晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
4KF2EDGRH-3.81-2*10P连接器类型:板端/插座-闭口;结构:2x10P;间距:3.81mm;排数:2;每排PIN数:10;安装方式:弯针;额定电流:8A;额定电压:300V;工作温度范围:...下载KEFA electronics
5KF2EDGVH-3.5-2*9P连接器类型:板端/插座-闭口;间距:3.5mm;排数:2;每排PIN数:9;安装方式:直针;额定电流:8A;额定电压:300V;线规 - AWG:-;线规 - mm...下载KEFA electronics
6KSC5502DTM晶体管类型:NPN(基极发射极结二极管);集射极击穿电压(Vceo):600V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):87.83W;集电极截止电流(Icbo):-...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
7KTB1151-Y-U--PH晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(...下载KEC CORPORATION
8KSC3503DSTU晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):7W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@10mA,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
9KP421LGA下载Kiwi Instruments Corporation
10KP522201BLGA下载Kiwi Instruments Corporation
11KO3400类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,5....下载GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD
12KTC4374晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):400mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载Rubycon Corporation
13KTC4379晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱...下载Rubycon Corporation
14KIA7027AF-RTF--P双线性集成电路,电压监控,检测电压为2.7V下载KEC CORPORATION
15KSP2222ATA晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
16KTA1023-Y-AT--P晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):1W;下载KEC CORPORATION
17KCXI1602E101MF直插铝电解电容 插件,P=7.5mm 100µF ±20% 250V 960mA 3000Hrs@105℃下载Ymin
18KL851M晶体管光耦(DC),电流传输比50~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压350V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20...下载Kinglight
19KL817S1-D-TU-F晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20...下载Kinglight
20KL817S1-B-TU-F晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20...下载Kinglight