1 | KSA708YTA | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
2 | KSD5041RTA | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
3 | KSC2383OTA | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
4 | KF2EDGRH-3.81-2*10P | 连接器类型:板端/插座-闭口;结构:2x10P;间距:3.81mm;排数:2;每排PIN数:10;安装方式:弯针;额定电流:8A;额定电压:300V;工作温度范围:... | 下载 | KEFA electronics |
5 | KF2EDGVH-3.5-2*9P | 连接器类型:板端/插座-闭口;间距:3.5mm;排数:2;每排PIN数:9;安装方式:直针;额定电流:8A;额定电压:300V;线规 - AWG:-;线规 - mm... | 下载 | KEFA electronics |
6 | KSC5502DTM | 晶体管类型:NPN(基极发射极结二极管);集射极击穿电压(Vceo):600V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):87.83W;集电极截止电流(Icbo):-... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
7 | KTB1151-Y-U--PH | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(... | 下载 | KEC CORPORATION |
8 | KSC3503DSTU | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):7W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@10mA,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
9 | KP421LGA | | 下载 | Kiwi Instruments Corporation |
10 | KP522201BLGA | | 下载 | Kiwi Instruments Corporation |
11 | KO3400 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,5.... | 下载 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD |
12 | KTC4374 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):400mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Rubycon Corporation |
13 | KTC4379 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
14 | KIA7027AF-RTF--P | 双线性集成电路,电压监控,检测电压为2.7V | 下载 | KEC CORPORATION |
15 | KSP2222ATA | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
16 | KTA1023-Y-AT--P | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):1W; | 下载 | KEC CORPORATION |
17 | KCXI1602E101MF | 直插铝电解电容 插件,P=7.5mm 100µF ±20% 250V 960mA 3000Hrs@105℃ | 下载 | Ymin |
18 | KL851M | 晶体管光耦(DC),电流传输比50~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压350V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
19 | KL817S1-D-TU-F | 晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
20 | KL817S1-B-TU-F | 晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |