CPD96V_10

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CENTRAL
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CPD96V_10 - Schottky Diode 500mA Low VF Schottky Diode Chip - Central Semiconductor Corp

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PROCESS CPD96V Schottky Diode 500mA Low VF Schottky Diode Chip PROCESS DETAILS Process Die Size Die Thickness Anode Bonding Pad Area Top Side Metalization Back Side Metalization EPITAXIAL PLANAR 20 x 20 MILS 7.1 MILS 16.4 x 16.4 MILS Al - 20,000Å Au - 12,000Å GEOMETRY GROSS DIE PER 4 INCH WAFER 28,028 PRINCIPAL DEVICE TYPES CMLSH05-4 R5 (22-March 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m PROCESS CPD96V Typical Electrical Characteristics R5 (22-March 2010) w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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