| HYG064N08NA1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):65nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):205pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG025N06LS2B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):145A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):69.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.381nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):10pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG055N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.66nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG038N03LR1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG024N03LR1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| HYG024N03LR1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG067N07NQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):93W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):110nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.089nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):139pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY3712P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):170A;功率(Pd):339W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):189nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):8.162nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):509pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG023N04LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.032nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):45pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY3008P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY1310D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,16A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG015N10NS1TA | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 场效应管(MOSFETs) N沟道 耐压:100V 电流:380A TOLL-8 | | | 获取价格 |
| HYG053N10NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N沟道 100V 120A TO263-2L | | | 获取价格 |
| HYG025N04NA1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-Channel 40V 125A TO252 93W 569pF 40V -55℃~+175℃(TJ) | | | 获取价格 |
| HYG050N10NS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-Channel 100V 135A TO220FB-3L 189.8W 77pF 1µA -55℃~+175℃(TJ) | | | 获取价格 |
| HYG180N10LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG180N10LS1P | | | 获取价格 |
| HYG050N13NS1B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY3403D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY3403D | | | 获取价格 |
| HY1210D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | N沟道增强型MOSFET VDS=100V ID=26A TO252-2L | | | 获取价格 |
| HY3008B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY3008B | | | 获取价格 |
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