B1D20120H | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):70A;正向压降(Vf):1.46V@20A;反向电流(Ir):6.75uA@1.2kV; | | | 获取价格 |
B1D10120H | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):35A;正向压降(Vf):1.46V@10A; | | | 获取价格 |
B1D10120F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):1.46V@10A;反向电流(Ir):4.5uA@1.2kV; | | | 获取价格 |
B1D08065F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):21A;正向压降(Vf):1.45V@8A; | | | 获取价格 |
B1D10065F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):32A;正向压降(Vf):1.43V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | | | 获取价格 |
B1D06065E | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):18A;正向压降(Vf):1.45V@6A; | | | 获取价格 |
B1D08065E | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):21A;正向压降(Vf):1.45V@8A; | | | 获取价格 |
B1D10065KF | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):24A;正向压降(Vf):1.48V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | | | 获取价格 |
B1D04065E | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):14A;正向压降(Vf):1.45V@4A; | | | 获取价格 |
B1D04065K | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):14A;正向压降(Vf):1.45V@4A; | | | 获取价格 |
B1D04065F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | | | | 获取价格 |
B1D10065E | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):29A;正向压降(Vf):1.44V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | | | 获取价格 |